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Módulo de poder positivo de la temperatura IGBT del alto cortocircuito SKM400GB12T4

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Módulo de poder positivo de la temperatura IGBT del alto cortocircuito SKM400GB12T4

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Number modelo :SKM400GB12T4
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :5-10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10,000pcs
Plazo de expedición :en existencia 2-3days
Detalles de empaquetado :carrete
PN :SKM400GB12T4
Marca :Semikron
Lugar :Original
Tipo :Módulos rápidos de IGBT 4
Limitación del uno mismo :6 x ICNOM
IGBT4 :4. Generación (foso) IGBT
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Coeficiente de temperatura positivo IGBT 4 cortocircuito rápido de los módulos de SKM400GB12T4 del alto

Características
• IGBT4 = generación 4. (foso) IGBT
• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
• Alta capacidad del cortocircuito, uno mismo que limita a 6 x ICNOM
• Diodo suave de la caloría de la generación de la transferencia 4. (CAL4)
Usos típicos
• Impulsiones del inversor de la CA
• UPS
• Soldadores electrónicos en el fsw hasta 20 kilociclos
Observaciones
• Temperatura de caso limitada a
Tc = 125°C máximo, recomm.
Top = -40… +150°C, producto
rel. resultados válidos para Tj = 150°
Módulo de poder positivo de la temperatura IGBT del alto cortocircuito SKM400GB12T4
Módulo de poder positivo de la temperatura IGBT del alto cortocircuito SKM400GB12T4
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