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BF981 Mosfet dual de la puerta del silicio del canal N 20mA 225mW

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrsVIVI
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BF981 Mosfet dual de la puerta del silicio del canal N 20mA 225mW

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Number modelo :BF981
Lugar del origen :Netherland
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :10,000pcs
Plazo de expedición :en existencia 2-3days
Detalles de empaquetado :polybag y cartón seguros estándar del paquete
PN :BF981
Marca :PHILIPS
Original :Netherland
Tipo :MOS dual de la puerta del canal N del silicio - Fet
paquete :To-50
Voltaje :20V /20mA /225mW
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MOS dual de la puerta del canal N del silicio - Fet 20V 20mA 225mW

Descripciones:

El tipo de agotamiento transistor de efecto de campo en un X-paquete plástico con fuente y el substrato interconectó,
previsto para los usos del VHF, tales como sintonizadores del elevision del VHF, sintonizadores de FM

y equipo de comunicación profesional,


Este tetrodo MOS-FET se protege contra oleadas excesivas del voltaje de entrada

por los diodos continuos integrados entre las puertas y la fuente.

BF981 Mosfet dual de la puerta del silicio del canal N 20mA 225mW

BF981 Mosfet dual de la puerta del silicio del canal N 20mA 225mW

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