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TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrsVIVI

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China Mosfets TO-252AA del poder del canal N de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm wholesale

Mosfets TO-252AA del poder del canal N de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm

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Number modelo :RFD14N05LSM

Lugar del origen :LOS E.E.U.U.

Cantidad de orden mínima :10pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :10,000pcs

Plazo de expedición :en existencia 2-3days

Detalles de empaquetado :75pcs/tubo

PN :RFD14N05LSM

Marca :EN

Original :LOS E.E.U.U.

Tipo :Mosfets del poder del canal N del nivel de la lógica

paquete :Soporte superficial de TO-252AA

Actual :14A

Voltaje :50V

Indutance :0.1Ohm

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Soporte de la superficie de los Mosfets TO-252AA del poder del canal N del nivel de la lógica de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm

Introducción:

El RFD14N05LSM es 14 A, 50 V, 0,1 Ω, Mosfet del poder del nivel de la lógica del canal N.

Viene en un paquete de TO-252AA y de gamas de temperaturas de Operting a partir del °C la -55 a 175 °C.

Se fabrica usando el proceso de MegaFET.

Este proceso, que utiliza los tamaños de característica que se acercan a los de los circuitos integrados de la LSI,

da la utilización óptima del silicio, dando por resultado funcionamiento excepcional.

Características:

Tipo del Fet: N-Ch

Voltaje de la Dren-a-fuente [Vdss]: 50V

Dren-fuente en Resistencia-máximo: 0.1Ω

Disipación de poder clasificado: 48 W

Carga de la puerta de Qg: 40nC

Paquete: TO-252AA

Tipo de Mouting: Soporte superficial

MOSFET del poder de TrenchFET®

El 100% Rg y UIS probaron

USOS

• Convertidores de DC/DC

• Inversores de DC/AC

• Impulsiones del motor

Mosfets TO-252AA del poder del canal N de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm

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Skype: hkdeli881
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