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Fototransistor en doble canal de MOCD213M 2500Vrms SOIC8

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Fototransistor en doble canal de MOCD213M 2500Vrms SOIC8

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Number modelo :MOCD213M
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :5-10pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :10,000pcs
Plazo de expedición :en existencia 2-3days
Detalles de empaquetado :carrete
PN :MOCD213M #
paquete :SOIC8
Tipo :Acoplador en doble canal
Tipo del soporte :SMT
BVCEO :70 V
RMS :2500 VAC
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MOCD213M # pequeños acopladores ópticos del soporte de la superficie del esquema del fototransistor en doble canal
Acoplador óptico en doble canal del fototransistor de SOIC8 SMT 70 V 2500Vrms
acoplador óptico en doble canal de la salida del fototransistor de 8-pin SOIC, 3000-TUBE

Características
U.L. Recognized (fichero #E90700, volumen 2)
■El VDE reconoció (fichero #136616) (añada la opción “V” para la aprobación del VDE, es decir, MOCD213VM)
■Acoplador en doble canal
■Estilo aumentable superficial plástico conveniente del paquete SOIC-8
■Ratio de transferencia actual mínimo 100% con la corriente entrada de 10 mA
■BVCEO mínimo de 70 V garantizados
■Huella estándar SOIC-8, con 0,050" espaciamiento de la ventaja
■Alto aislamiento de la entrada-salida de 2500 VAC (rms) garantizados
Usos
Circuitos de control de la reacción
■Sistemas de interconexión y de acoplamiento de diversos potenciales e impedancias
■Circuitos que cambian de fines generales
■Monitor y circuitos de detección
Descripción
El dispositivo de MOCD213M consiste en dos diodos de emisión infrarrojos del arseniuro de galio ópticamente juntados a
dos detectores monolíticos del fototransistor del silicio, en un paquete plástico superficial del esquema aumentable, pequeño.
Se adapta idealmente para los usos de alta densidad y elimina la necesidad del montaje del por--tablero.
Fototransistor en doble canal de MOCD213M 2500Vrms SOIC8
Fototransistor en doble canal de MOCD213M 2500Vrms SOIC8
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Correo electrónico: sales3@deli-ic.com
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