Memoria masiva del plástico PBF TSOP 3.3V del chip de memoria 8GX8 de IC del flash de MT29F64G08CBABAWP NAND

MT29F64G08CBABAWP: MEMORIA MASIVA del PLÁSTICO PBF TSOP 3.3V del FLASH 8GX8 del chip de memoria NAND de B IC

Características

• Abra el interfaz (ONFI) del flash del NAND 1,0 compliant1

• Tecnología de un solo nivel de (SLC) de la célula

• Organización – tamaño de página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes) – tamaño de página x16: 1056 palabras de las palabras (1024 + 32) – tamaño de bloque: 64 páginas (bytes 128K + 4K) – tamaño plano: 2 aviones x 2048 bloques por el avión – tamaño del dispositivo: 4Gb: 4096 bloques; 8Gb: 8192 bloques 16Gb: 16.384 bloques

• Funcionamiento asincrónico de la entrada-salida – tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)

• Funcionamiento del arsenal – página leída: 25µs 3 – página del programa: 200µs (TIPO: 1.8V, 3.3V) 3 – bloque del borrado: 700µs (TIPO)

• Comando fijado: Protocolo del flash de ONFI NAND

• – El escondrijo mode4 de la página del programa – el Dos-avión leído fijado comando avanzado del modo 4 del escondrijo de la página – modo programable de una sola vez de (OTP) – ordena 4 – interpolado mueren las operaciones (LUN) – ID exclusivo leído – cerradura del bloque (1.8V solamente) – movimiento de los datos internos

• El byte de situación de la operación proporciona el método del software para detectar – realización de la operación – la condición del paso/del fall – Write-protect la situación

• La señal lista/de Busy# (R/B#) proporciona un método del hardware de detectar la realización de la operación

• Señal de WP#: Dispositivo entero de la protección de escritura

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