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Canal N bipolar aislado TOSHIBA IGBT del silicio del transistor de la puerta GT20J101
Usos de la transferencia del poder más elevado
• La 3ra generación • Aumento-modo
• Velocidad: tf = 0,30 µs (máximos)
• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 2,7 V (máximos)
| Característico | Símbolo | Clasificación | Unidad |
| voltaje del Colector-emisor | VCES | 600 | V |
| voltaje del Puerta-emisor | VGES | +-20 | V |
| Corriente de colector DC | IC | 20 | A |
| Ms de la corriente de colector 1 | ICP | 40 | A |
| Disipación de poder del colector (Tc = 25°C) | PC | 130 | W |
| Temperatura de empalme | Tj | 150 | °C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | −55~150 | °C |

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