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TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN

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Canal N bipolar aislado módulo del silicio del transistor de la puerta del tiristor GT20J101

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China Canal N bipolar aislado módulo del silicio del transistor de la puerta del tiristor GT20J101 wholesale
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Canal N bipolar aislado módulo del silicio del transistor de la puerta del tiristor GT20J101
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Número de modelo :GT20J101
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :10 piezas
Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente :10000PCS
Plazo de expedición :Archivo
Detalles de empaquetado :Tubo
VCES :600V
VGES :+-20
IC :20A
ICP :40A
PC :130W
TJ :150°C
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Canal N bipolar aislado TOSHIBA IGBT del silicio del transistor de la puerta GT20J101

 

Usos de la transferencia del poder más elevado

 

• La 3ra generación • Aumento-modo

• Velocidad: tf = 0,30 µs (máximos)

• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 2,7 V (máximos)

 

 

Característico Símbolo Clasificación Unidad
voltaje del Colector-emisor VCES 600 V
voltaje del Puerta-emisor VGES +-20 V
Corriente de colector DC IC 20 A
Ms de la corriente de colector 1 ICP 40 A
Disipación de poder del colector (Tc = 25°C) PC 130 W
Temperatura de empalme Tj 150 °C
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg −55~150 °C

 

 

Canal N bipolar aislado módulo del silicio del transistor de la puerta del tiristor GT20J101

 

Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Teléfono: 86-755-82539981

 

 

 

 

Etiquetas de productos:

thyristor module

insulated gate bipolar transistor igbt

thyristor switching module
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