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Transistor bipolar PNP 60V 10A 50W de los transistores de D45H8 NPN PNP (BJT) a través del agujero TO-220AB
Transistores de poder complementarios
Características
Voltaje de saturación bajo del colector-emisor del ■
Velocidad de transferencia rápida del ■
Usos
Amplificador de potencia del ■
Circuitos de la transferencia del ■
Descripción
Los dispositivos se fabrican en tecnología planar epitaxial multi de la baja tensión. Se piensan para los usos lineares y de la transferencia de fines generales
Cualidades de producto | Seleccione todos |
Categorías | Productos de semiconductor discretos |
Los transistores - bipolares (BJT) - escogen | |
Fabricante | STMicroelectronics |
Serie | - |
Empaquetado | Tubo |
Situación de la parte | Obsoleto |
Tipo del transistor | PNP |
Actual - colector (Ic) (máximo) | 10A |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 60V |
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Actual - atajo del colector (máximo) | 10µA |
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Poder - máximo | 50W |
Frecuencia - transición | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo del montaje | A través del agujero |
Paquete/caso | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de delicatessen
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