Soporte de la superficie 417mW (TA) del P-canal 60V 300mA (TA) de los transistores de BSH201 NPN PNP
transistor del MOS del modo BSH201 del aumento del P-canal
DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA DEL SÍMBOLO DE LAS CARACTERÍSTICAS • Voltaje bajo del umbral VDS = -60 V • Transferencia rápida • Compatible llano de la lógica identificación = -0,3 A • Ω superficial Subminiature del ≤ 2,5 del RDS del paquete del soporte (ENCENDIDO) (VGS = -10 V)
DESCRIPCIÓN GENERAL QUE FIJA SOT23
P-canal, modo del aumento, nivel de la lógica de la DESCRIPCIÓN del PIN, transistor de poder del efecto de campo. Este dispositivo tiene el voltaje del umbral de la puerta del punto bajo 1 y transferencia extremadamente rápida que le hacen el ideal para 2 usos con pilas de la fuente y la interconexión digital de alta velocidad. dren 3
El BSH201 se suministra en el paquete subminiature del montaje superficial SOT23.
| Cualidades de producto |
Seleccione todos |
| Categorías |
Productos de semiconductor discretos |
| |
Los transistores - FETs, MOSFETs - escogen |
| Fabricante |
Nexperia los USA Inc. |
| Serie |
- |
| Empaquetado |
Cinta y carrete (TR) |
| Situación de la parte |
Activo |
| Tipo del FET |
P-canal |
| Tecnología |
MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) |
60V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C |
300mA (TA) |
| Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido) |
4.5V, 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs |
2,5 ohmios @ 160mA, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ |
1V @ 1mA (minuto) |
| Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs |
3nC @ 10V |
| Vgs (máximo) |
±20V |
| Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada |
70pF @ 48V |
| Característica del FET |
- |
| Disipación de poder (máxima) |
417mW (TA) |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo del montaje |
Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor |
TO-236AB |
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