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Soporte SC-70 de la superficie 260mW (TA) del canal N 60V 310mA (TA) de los transistores de 2N7002PW NPN PNP
Descripción
Este MOSFET se ha diseñado para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)) pero mantenga el funcionamiento superior de la transferencia, haciéndole el ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.
Usos
del control de motor del
Funciones de gestión del poder
Ofrece el
bajo de la En-resistencia
bajo del voltaje del umbral de la puerta
bajo de la capacitancia de la entrada
rápido de la velocidad de transferencia
Pequeño superficial del paquete del soporte
Totalmente sin plomo y completamente RoHS obedientes (notas 1 y 2)
El halógeno y el antimonio liberan. Dispositivo del “verde” (notas 3 y 4)
Calificado a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad
mecánico de los datos
Caso: SOT23
Material del caso: Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora sensibilidad de humedad del 94V-0: Nivel 1 por el J-STD-020
Terminales: El final mate de la lata recoció sobre el leadframe de la aleación 42 (galjanoplastia sin plomo). Solderable por MIL-STD-202, del método 208
Conexiones terminales: Vea el del diagrama
Peso: 0,008 gramos (de aproximado)
Cualidades de producto | Seleccione todos |
Categorías | Productos de semiconductor discretos |
Los transistores - FETs, MOSFETs - escogen | |
Fabricante | Nexperia los USA Inc. |
Serie | - |
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) |
Situación de la parte | Activo |
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 60V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 310mA (TA) |
Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido) | 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 1,6 ohmios @ 500mA, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.4V @ 250µA |
Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada | 50pF @ 10V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 260mW (TA) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo del montaje | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70 |
Paquete/caso | SC-70, SOT-323 |
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de delicatessen
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