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Canal N 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP de la superficie 2N7002PW

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TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrsVIVI
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Canal N 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP de la superficie 2N7002PW

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Número de modelo :2N7002PW
Lugar del origen :Malasia
Cantidad de orden mínima :3000 PC
Capacidad de la fuente :T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Plazo de expedición :30000PCS
Detalles de empaquetado :3000pcs/reel
categorías :Los transistores - FETs, MOSFETs - escogen
Drene al voltaje de la fuente :60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :310mA (TA)
Conduzca el voltaje :10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :1,6 ohmios @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :2.4V @ 250µA
Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs :0.8nC @ 4.5V
Entre la capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds :50pF @ 10V
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Soporte SC-70 de la superficie 260mW (TA) del canal N 60V 310mA (TA) de los transistores de 2N7002PW NPN PNP
 
Descripción
Este MOSFET se ha diseñado para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)) pero mantenga el funcionamiento superior de la transferencia, haciéndole el ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.
Usos
 del control de motor del 
Funciones de gestión del poder
 
 
Ofrece el 
 bajo de la En-resistencia
 bajo del voltaje del umbral de la puerta
 bajo de la capacitancia de la entrada
 rápido de la velocidad de transferencia
Pequeño  superficial del paquete del soporte
Totalmente sin plomo y completamente RoHS obedientes (notas 1 y 2) 
El halógeno y el antimonio liberan. Dispositivo del “verde” (notas 3 y 4) 
Calificado a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad
mecánico de los datos
Caso:  SOT23
Material del caso: Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora sensibilidad de humedad del  94V-0: Nivel 1 por el  J-STD-020
Terminales: El final mate de la lata recoció sobre el leadframe de la aleación 42 (galjanoplastia sin plomo). Solderable por MIL-STD-202,  del método 208
Conexiones terminales: Vea el  del diagrama
Peso: 0,008 gramos (de aproximado)
 
 
 
 

Cualidades de productoSeleccione todos
CategoríasProductos de semiconductor discretos
 Los transistores - FETs, MOSFETs - escogen
FabricanteNexperia los USA Inc.
Serie-
EmpaquetadoCinta y carrete (TR)
Situación de la parteActivo
Tipo del FETCanal N
TecnologíaMOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C310mA (TA)
Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido)10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs1,6 ohmios @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @2.4V @ 250µA
Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
Vgs (máximo)±20V
Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada50pF @ 10V
Característica del FET-
Disipación de poder (máxima)260mW (TA)
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo del montajeSoporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedorSC-70
Paquete/casoSC-70, SOT-323

 
 
 
 
 
Canal N 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP de la superficie 2N7002PWCanal N 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP de la superficie 2N7002PW
 
Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Teléfono: 86-0755-82539981







































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