Silicio NPN PowerTransistor de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
DESCRIPCIÓN
·Voltaje de saturación bajo del colector
·avalancha 100% probada
·Variaciones mínimas de la Porción-a-porción para el funcionamiento robusto del dispositivo y la operación confiable
USOS
·Altos usos de la frecuencia de la transición
Especificaciones
Categoría: BJT - fines generales
Fabricante: TECNOLOGÍA DE RENESAS
Corriente de colector (DC): 3 (A)
Voltaje de la Colector-base: 60 (V)
Voltaje del Colector-emisor: 60 (V)
Voltaje de la Emisor-base: 7 (V)
Frecuencia: 120 (megaciclo)
Disipación de poder: 2 (W)
Montaje: Soporte superficial
Gama de funcionamiento de los temporeros: -55C a 150C
Tipo del paquete: TO-252
Cuenta de Pin: 2 +Tab
Número de elementos: 1
Clasificación de la temperatura de funcionamiento: Militar
Categoría: Poder bipolar
Rad endurecido: No
Polaridad del transistor: NPN
De potencia de salida: No requerido (W)
Configuración: Solo
Aumento actual de DC: 60@0.2A @2V/50@2A @2V

Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Teléfono: 86-0755-82539981