TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN

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Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

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Número de modelo :2SD1899
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :10 piezas
Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente :10000PCS
Plazo de expedición :Archivo
Detalles de empaquetado :bolsa
Corriente de colector (DC) :3A
Voltaje de la Colector-base :60V
voltaje del Colector-emisor :60V
Voltaje de la Emisor-base :7V
Frecuencia :120MHZ
Disipación de poder :2w
Polaridad del transistor :NPN
Gama de funcionamiento de los temporeros :-55C a 150C
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Silicio NPN PowerTransistor de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

 

DESCRIPCIÓN

 

·Voltaje de saturación bajo del colector

·avalancha 100% probada

·Variaciones mínimas de la Porción-a-porción para el funcionamiento robusto del dispositivo y la operación confiable


USOS

·Altos usos de la frecuencia de la transición
 

Especificaciones

Categoría: BJT - fines generales
Fabricante: TECNOLOGÍA DE RENESAS
Corriente de colector (DC): 3 (A)
Voltaje de la Colector-base: 60 (V)
Voltaje del Colector-emisor: 60 (V)
Voltaje de la Emisor-base: 7 (V)
Frecuencia: 120 (megaciclo)
Disipación de poder: 2 (W)
Montaje: Soporte superficial
Gama de funcionamiento de los temporeros: -55C a 150C
Tipo del paquete: TO-252
Cuenta de Pin: 2 +Tab
Número de elementos: 1
Clasificación de la temperatura de funcionamiento: Militar
Categoría: Poder bipolar
Rad endurecido: No
Polaridad del transistor: NPN
De potencia de salida: No requerido (W)
Configuración: Solo
Aumento actual de DC: 60@0.2A @2V/50@2A @2V

 

 

Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

 

 

 

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Teléfono: 86-0755-82539981

 

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