Transistores epitaxiales de rectificador 2SB1261 del silicio de fines generales del diodo PNP
DESCRIPCIÓN
·Voltaje de saturación bajo del colector
·Disipación de poder más elevado: PC= 10W @TC=25℃ (máximo)
·Complemento para mecanografiar 2SD1899-K
USOS
·Diseñado para el uso en amplificador audio y la transferencia, especialmente en circuitos integrados híbridos.
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