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Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261 10W del silicio de fines generales del diodo

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261 10W del silicio de fines generales del diodo

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Número de modelo :2SB1261
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :10 piezas
Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente :10000PCS
Plazo de expedición :Archivo
Detalles de empaquetado :bolsa
Voltaje de la Colector-Base :-60V
Voltaje del Colector-Emisor :-60V
voltaje de la Emisor-base :-7V
Colector actual-continuo :-3A
Disipación de poder del colector @TC=25℃ :10w
Temperatura de empalme :150℃
Temperatura de almacenamiento :-55~150℃
Paquete :TO126
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Transistores epitaxiales de rectificador 2SB1261 del silicio de fines generales del diodo PNP
 
DESCRIPCIÓN
·Voltaje de saturación bajo del colector
·Disipación de poder más elevado: PC= 10W @TC=25℃ (máximo)
·Complemento para mecanografiar 2SD1899-K


USOS
·Diseñado para el uso en amplificador audio y la transferencia, especialmente en circuitos integrados híbridos.
 
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261 10W del silicio de fines generales del diodo
 
 
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