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TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN

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resistencia termal típica del diodo del revés de 1N4007 M7 DC de la situación activa de alto voltaje de la pieza

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TECNOLOGÍA CO., LTD DE LA ELECTRÓNICA DE LA TIENDA DE DELICATESSEN
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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China resistencia termal típica del diodo del revés de 1N4007 M7 DC de la situación activa de alto voltaje de la pieza wholesale
  • China resistencia termal típica del diodo del revés de 1N4007 M7 DC de la situación activa de alto voltaje de la pieza wholesale
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resistencia termal típica del diodo del revés de 1N4007 M7 DC de la situación activa de alto voltaje de la pieza
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Número de modelo :1N4007 (M7)
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :10 piezas
Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente :100000pcs
Plazo de expedición :Archivo
Detalles de empaquetado :Carrete
categorías :Los diodos - rectificadores - escogen
Voltaje - revés de DC (Vr) (máximo) :1000v
Actual - media rectificada (Io) :1A
Voltaje - (Vf) delantero (máximo) @ si :1.1V @ 1A
Velocidad :Recuperación estándar >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación reversa (trr) :2µs
Actual - salida reversa @ Vr :5µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F :15pF @ 4V, 1MHz
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diodo de fines generales 1000V estándar 1A del diodo de rectificador 1N4007 (M7)

 

Características

 

Disponible libre del halógeno a petición añadiendo el sufijo - HF 
Salida de poca intensidad y bajo costo

El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94

Nivel 1 de la sensibilidad de humedad
 

 

Grados máximos

• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C

• Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C

• Resistencia termal típica: 35°C/WJunction toLead del toCase 25°C/WJunction en 0,375

 

 

Cualidades de producto Seleccione todos
Categorías Productos de semiconductor discretos
　 Los diodos - rectificadores - escogen
Fabricante Anuncio publicitario micro Co
Serie -
Empaquetado Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte Activo
Tipo del diodo Estándar
Voltaje - revés de DC (Vr) (máximo) 1000V
Actual - media rectificada (Io) 1A
Voltaje - (Vf) delantero (máximo) @ si 1.1V @ 1A
Velocidad Recuperación estándar >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación reversa (trr) 2µs
Actual - salida reversa @ Vr 5µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo del montaje  
Paquete/caso SMA
Paquete del dispositivo del proveedor SMA
Temperatura de funcionamiento - empalme -55°C ~ 150°C

 

 

resistencia termal típica del diodo del revés de 1N4007 M7 DC de la situación activa de alto voltaje de la pieza

 

 

Co ltd del tehcnology de la electrónica de la tienda de delicatessen
www.icmemorychip.com
Correo electrónico: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Teléfono: 86-0755-82539981

 

Etiquetas de productos:

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