Canal N de fines generales 55V 110A (Tc) 200W (Tc) del diodo de rectificador de IRFP064N a través del agujero
¿Tecnología de proceso avanzada?
¿En-resistencia ultrabaja?
¿Grado dinámico de dv/dt?
¿temperatura de funcionamiento 175°C?
¿Transferencia rápida?
Completamente avalancha clasificada
Descripción
Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-247 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-247 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
| Cualidades de producto | Seleccione todo |
| Categorías | Productos de semiconductor discretos |
| | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Empaquetado | Tubo |
| Situación de la parte | Activo |
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 55V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 8 mOhm @ 59A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 200W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC |
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