P-canal de fines generales 200V 11A (Tc) 125W (Tc) del diodo de rectificador IRF9640 a través del agujero
CARACTERÍSTICAS
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• P-canal
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Obediente a RoHS 2002/95/EC directivo
DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad. El paquete de TO-220AB se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 W. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220AB contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
| Cualidades de producto |
Seleccione todos |
| Categorías |
Productos de semiconductor discretos |
| |
Los transistores - FETs, MOSFETs - escogen |
| Fabricante |
Vishay Siliconix |
| Serie |
- |
| Empaquetado |
Tubo |
| Situación de la parte |
Activo |
| Tipo del FET |
P-canal |
| Tecnología |
MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) |
200V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C |
11A (Tc) |
| Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido) |
10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs |
500 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ |
4V @ 250µA |
| Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs |
44nC @ 10V |
| Vgs (máximo) |
±20V |
| Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada |
1200pF @ 25V |
| Característica del FET |
- |
| Disipación de poder (máxima) |
125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo del montaje |
A través del agujero |
| Paquete del dispositivo del proveedor |
TO-220AB |
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