Rectificador de diodo de Schottky del diodo de Schottky del soporte de la superficie del óxido de metal de IRF640N a 220AB

Canal N de fines generales 200V 18A (Tc) 150W (Tc) del diodo de rectificador de IRF640N a través del agujero TO-220AB

¿? ¿Tecnología de proceso avanzada? ¿Grado dinámico de dv/dt? ¿temperatura de funcionamiento 175°C? ¿Transferencia rápida? ¿Completamente avalancha clasificada? ¿Facilidad de ser paralelo a? Requisitos simples de la impulsión

Los MOSFETs del poder de la quinta generación HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos. El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria. El D2Pak es un paquete superficial del poder del soporte capaz de acomodar a morir los tamaños hasta HEX-4. Proporciona la capacidad del poder más alto y el onresistance posible más bajo de cualquier paquete superficial existente del soporte. El D2Pak es conveniente para los usos de gran intensidad debido a su resistencia interna baja de la conexión y puede disiparse hasta 2.0W en un uso superficial típico del soporte. La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso lowprofile.
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