Valor
Tipo de canal	N
Configuración	Hex.
Voltaje máximo del emisor del colector	1200 V
Corriente de colector continua máxima	80 A
Voltaje máximo del emisor de la puerta	±20 V
Montaje	Soporte del tornillo
Cuenta de Pin	24
Dimensiones del producto	122 x 62 x 17 milímetros
Paquete del proveedor	EconoPIM3

Descripción	1. IGBT es una integración funcional de los dispositivos del MOSFET y de BJT del poder en forma monolítica
	2. IGBT combina las mejores cualidades de ambos para alcanzar características óptimas del dispositivo. Cada módulo consiste en dos que IGBTs en una configuración del semipuente con cada transistor que tiene una recuperación ultrarrápida reverso-conectada anda sin embragar el diodo.

	3. Todo el componentsand interconecta se aísla de la placa de base de hundimiento del calor, ofreciendo el montaje de sistema simplificado.
Característica	1). Cuadrado RBSOA
	2). Voltaje de saturación bajo
	3). Función de limitación de la sobreintensidad de corriente (~3 veces valoraron la corriente)
	4). IGBT es dispositivo de semiconductor del poder del tres-terminal
	5). Operación de alta frecuencia
Uso	1). La CA conduce el inversor
	2). Servocontrol
	3). UPS, sistema de alimentación ininterrumpida
	4). Fuentes de alimentación de la soldadura

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