Módulo de poder de 2MBI100SC-120 IGBT 1200V/100A 2 en uno-paquete
Impulsión de alta velocidad del voltaje de la transferencia 1200V/100A del módulo de poder de 2MBI100SC 120 IGBT
1200V / 100A 2 en uno-paquete
Características
· Transferencia de alta velocidad
· Impulsión del voltaje
· Estructura de módulo de baja inductancia
Usos
· Inversor para la impulsión del motor
· Amplificador servo de la impulsión de la CA y de DC
· Sistema de alimentación ininterrumpida
· Máquinas industriales, tales como soldadoras
| Descripción |
1. IGBT es una integración funcional de los dispositivos del MOSFET y de BJT del poder en forma monolítica |
| 2. IGBT combina las mejores cualidades de ambos para alcanzar características óptimas del dispositivo. Cada módulo consiste en dos que IGBTs en una configuración del semipuente con cada transistor que tiene una recuperación ultrarrápida reverso-conectada anda sin embragar el diodo. |
| 3. Todo el componentsand interconecta se aísla de la placa de base de hundimiento del calor, ofreciendo el montaje de sistema simplificado. |
| Característica |
1). Cuadrado RBSOA |
| 2). Voltaje de saturación bajo |
| 3). Función de limitación de la sobreintensidad de corriente (~3 veces valoraron la corriente) |
| 4). IGBT es dispositivo de semiconductor del poder del tres-terminal |
| 5). Operación de alta frecuencia |
| Uso |
1). La CA conduce el inversor |
| 2). Servocontrol |
| 3). UPS, sistema de alimentación ininterrumpida |
| 4). Fuentes de alimentación de la soldadura |
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