Módulo de poder de 2MBI100N-060 IGBT 2-PACK IGBT 600V 100A
MÓDULO de IGBT (serie de N)
n
características de n
• Cuadrado RBSOA
• Voltaje de saturación bajo
• Menos disipación de poder total
• Característica mejorada del FWD
• Inductancia perdida interna minimizada
• Función de limitación de la sobreintensidad de corriente (
~3 veces valoraron la corriente)
n
usos de n
• Transferencia del poder más elevado
• A.C. controles de motor
• C.C. controles de motor
• Sistema de alimentación ininterrumpida
| Descripción |
1. IGBT es una integración funcional de los dispositivos del MOSFET y de BJT del poder en forma monolítica |
| 2. IGBT combina las mejores cualidades de ambos para alcanzar características óptimas del dispositivo. Cada módulo consiste en dos que IGBTs en una configuración del semipuente con cada transistor que tiene una recuperación ultrarrápida reverso-conectada anda sin embragar el diodo. |
| 3. Todo el componentsand interconecta se aísla de la placa de base de hundimiento del calor, ofreciendo el montaje de sistema simplificado. |
| Característica |
1). Cuadrado RBSOA |
| 2). Voltaje de saturación bajo |
| 3). Función de limitación de la sobreintensidad de corriente (~3 veces valoraron la corriente) |
| 4). IGBT es dispositivo de semiconductor del poder del tres-terminal |
| 5). Operación de alta frecuencia |
| Uso |
1). La CA conduce el inversor |
| 2). Servocontrol |
| 3). UPS, sistema de alimentación ininterrumpida |
| 4). Fuentes de alimentación de la soldadura |
grados máximos y características de n
• Grados máximos absolutos (Tc=25°C)
Unidades de los grados de los símbolos de los artículos
Voltaje VCES 600V del Colector-emisor
Puerta - ± 20V del voltaje VGES del emisor
IC continuo 100
Colector 1ms
PULSO 200 DE IC
Continuo actual - IC 100 1ms
- PULSO 200 DE IC
PC máxima 400W de la disipación de poder
°C de Tj +150 de la temperatura de funcionamiento
Temperatura de almacenamiento Tstg -40∼ +125°C
Aislamiento VoltageA.C. 1min.Vis 2500V
Montaje *13.5
Terminales *13.5
Nota: *1: Valor recomendable; 2.5∼ 3,5 nanómetro (M
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