Uso:
IPD80R1K4P7 es un transistor del MOSFET del canal N de uso general en los convertidores de gran eficacia de DC-DC y los usos de la fuente de alimentación. Puede actuar en la baja tensión y tiene resistencia baja y alta velocidad que cambia, haciéndola muy conveniente para el uso en usos de la baja tensión.
Conclusión:
IPD80R1K4P7 tiene las siguientes características:
Pérdidas bajas mismas de la transferencia y de la conducción;
Límite de alto voltaje, capaz del funcionamiento en el alto voltaje;
La alta velocidad que cambia permite los convertidores eficientes de DC-DC;
Estabilidad da alta temperatura, capaz del trabajo en ambientes des alta temperatura.
Parámetros:
Los parámetros dominantes de IPD80R1K4P7 son como sigue:
Corriente clasificada: 80A;
Voltaje clasificado: 40V;
Voltaje de fuente de alimentación máximo del dren: 55V;
Resistencia estática: el 1.4m Ω;
Capacitancia típica: 2000pF;
Gama de temperaturas de trabajo: -55 ° C DEL ° C~+175;
Tipo de empaquetado: TO-252 (DPAK).

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS	Obediente con el 聽 de la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Sin confirmar
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Sí
SVHC excede el umbral	Sí
Automotriz	No
PPAP	No
Categoría de producto	MOSFET del poder
Configuración	Solo
Tecnología de proceso	CoolMOS P7
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	800
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v)	3,5
Dren continuo máximo (a) actual	4
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA)	1000
IDSS máximo (UA)	1
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm)	1400@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	10@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta	10
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	250@500V
Disipación de poder máxima (mW)	32000
Tiempo de caída típico (ns)	20
Tiempo de subida típico (ns)	8
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	40
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	10
Temperatura de funcionamiento mínima (掳 C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (掳 C)	150
Empaquetado	Cinta y carrete
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	2,41 (máximo)
Anchura del paquete	6,22 (máximo)
Longitud del paquete	6,73 (máximo)
El PWB cambió	2
Etiqueta	Etiqueta
Paquete del proveedor	DPAK
Pin Count	3

Etiquetas de productos:

Transistor de canal N de Mosfet con IPD80R1K4P7 TO-252

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