ISO9001.pdf
Uso: IPD50N04S4-10 es un transistor del MOSFET del canal N de uso general en usos de alto rendimiento del conductor del interruptor y del motor.
Conclusión: IPD50N04S4-10 tiene las características de la salida baja actuales, resistencia baja de la conducción, y estabilidad da alta temperatura, que puede proporcionar eficacia alta y confiabilidad.
Parámetros:
Voltaje clasificado: 40V
Corriente clasificada: 50A
Resistencia de la conducción: 10m Ω
Capacitancia obligada: 1900pF
Temperatura de trabajo máxima: ℃ 175
Empaquetado: TO-252-3 (DPAK)
Especificaciones técnicas del producto |
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UE RoHS |
Obediente con el 聽 de la exención |
ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
Situación de la parte |
Sin confirmar |
SVHC |
Sí |
SVHC excede el umbral |
Sí |
Automotriz |
Sí |
PPAP |
Desconocido |
Categoría de producto |
MOSFET del poder |
Configuración |
Solo |
Tecnología de proceso |
OptiMOS |
Modo del canal |
Aumento |
Tipo de canal |
N |
Número de elementos por microprocesador |
1 |
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
40 |
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
卤 20 |
Dren continuo máximo (a) actual |
50 |
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm) |
9.3@10V |
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta |
14@10V |
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta |
14 |
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
1100@25V |
Disipación de poder máxima (mW) |
41000 |
Tiempo de caída típico (ns) |
5 |
Tiempo de subida típico (ns) |
7 |
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
4 |
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
5 |
Temperatura de funcionamiento mínima (掳 C) |
-55 |
Temperatura de funcionamiento máximo (掳 C) |
175 |
Grado de la temperatura del proveedor |
Automotriz |
Empaquetado |
Cinta y carrete |
Montaje |
Soporte superficial |
Altura del paquete |
2,3 |
Anchura del paquete |
6,22 |
Longitud del paquete |
6,5 |
El PWB cambió |
2 |
Etiqueta |
Etiqueta |
Nombre del paquete estándar |
TO-252 |
Paquete del proveedor |
DPAK |
Pin Count |
3 |
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