Especificaciones técnicas del producto
UE RoHS	Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Sí
SVHC excede el umbral	Sí
Automotriz	Sí
PPAP	Desconocido
Categoría de producto	MOSFET del poder
Configuración	Solo
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	100
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	15
Dren continuo máximo (a) actual	39
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm)	39@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	48@5V
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	2304@25V
Disipación de poder máxima (mW)	158000
Tiempo de caída típico (ns)	90
Tiempo de subida típico (ns)	135
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	125
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	20
Temperatura de funcionamiento mínima (c)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (c)	175
Empaquetado	Cinta y carrete
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	4,5 (máximo)
Anchura del paquete	9,4 (máximo)
Longitud del paquete	10,3 (máximo)
El PWB cambió	2
Etiqueta	Etiqueta
Paquete del proveedor	D2PAK
Pin Count	3

BUK9640-100A Circuito integrado nuevo y original TO-263

circuito integrado del ic