Especificaciones técnicas del producto
UE RoHS	Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	NRND
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Sí
SVHC excede el umbral	Sí
Automotriz	Sí
PPAP	Desconocido
Categoría de producto	MOSFET del poder
Material	Si
Configuración	Solo
Tecnología de proceso	HEXFET
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	100
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	±20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v)	4
Dren continuo máximo (a) actual	180
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm)	4.7@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	143@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta	143
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	9575@50V
Disipación de poder máxima (mW)	375000
Tiempo de caída típico (ns)	77
Tiempo de subida típico (ns)	86
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	100
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	21
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)	175
Grado de la temperatura del proveedor	Automotriz
Empaquetado	Cinta y carrete
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	4,83 (máximo)
Anchura del paquete	9,65 (máximo)
Longitud del paquete	10,67 (máximo)
El PWB cambió	2
Etiqueta	Etiqueta
Nombre del paquete estándar	TO-263
Paquete del proveedor	D2PAK
Pin Count	3
Forma de la ventaja	Gaviota-ala

Circuito integrado nuevo y original SOT263 de AUIRFS4010TRL

circuito integrado del ic