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HUATEC GROUP CORPORATION

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China 75 micrones Silicio amorfo A Si Para diversos campos A Si DR Pruebas no destructivas wholesale

75 micrones Silicio amorfo A Si Para diversos campos A Si DR Pruebas no destructivas

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Número de modelo :H2317HSC-CG: el contenido de H2317HSC-CG es el mismo que el contenido de H2317HSC-CG.

Lugar de origen :China.

Cantidad mínima de pedido :1

Detalles del embalaje :Paquete de cartón estándar de exportación

El material :sensor de silicio amorfo

Temperatura :10-35°C (funcionamiento); 10~50°C (almacenamiento)

humedad :RH de 30 a 70% (sin condensación)

Nombre del producto :Detector digital de panel plano

Tipo de receptor :Uno-Si

centelleador :CSI:TI

Área activa :230.4 x 172 mm

Pitch de los píxeles :los 75μm

Resolución :3072 x 2304

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75 micrones de silicio amorfo A-Si para diversos campos A-Si DR y pruebas no destructivas

H2317HSC-CG Es un detector de panel plano ligero basado en sensores de silicio amorfo, adecuado para la detección de rayos X

Sensor de la misma
Receptor tipo a-Si

Las condiciones de las condiciones de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo.

Área activa 230,4 x 172 mm

Resolución 3072x 2304

Pitch de los píxeles 75 μm

Suministro de energía y batería

Adaptador en AC 100-240V,50-60Hz

Adaptador de salida DC 24V,2.7A

Disposición de energía < 20 W

Calidad de imagen
Resolución de limitación 5.9 LP/mm

Rango de energía 40-150 KV

Rango dinámico ≥ 76 dB

Sensibilidad ≥ 0,54 LSB/nGy

Ghos < 1% 1er cuadro

Carro de la investigación 0