808nm emisor del diodo láser desmontado de potencia de salida de la longitud de onda 1W solo
HTOE se ha estado centrando en la tecnología de la oblea de semiconductor desde 1998, entrega el poder más elevado con varios modos de funcionamiento en las longitudes de onda entre 635 y 1064nm. El solo emisor del diodo láser desmontado HTOE-E-500-0808-TE-001W-900 es una elección excelente para los clientes que buscan el funcionamiento del estado-de-arte para los usos del desarrollo y del cliente del laser. Hace salir poder de 1 vatio (CW) en la longitud de onda del centro 808nm con la anchura estrecha del emisor del μm 100.
Los lasers del semiconductor son la pieza central la mayor parte de los sistemas industriales de hoy del laser. Si el tratamiento de materiales directo o el bombeo óptico de láseres de estado sólido, los lasers de la fibra o los lasers del disco, los solos emisores desmontados y las barras es el componente clave para la conversión inicial de la energía eléctrica en luz.
Características
- Poder de alto rendimiento 1W en el modo del CW;
- longitud de onda del centro 808nm;
- Alta confiabilidad
Usos
- OEM médico
- Consumidor médico
- Investigación
- Fuente de la bomba de DPSS
- LiDAR
- Militares/espacio aéreo
Las líneas de montaje en todo el mundo se benefician de sistemas diodebased del laser, 24 horas al día, 7 días a la semana. Cualquier mantenimiento o reemplazo del equipo de producción viene a expensas de productividad, y asegurar productividad a través de sistemas de redundancia aumento posterior el coste. Por lo tanto, los cursos de la vida largos y la operación estable sin fracasos espontáneos son factores claves para el éxito de los sistemas del laser para el tratamiento de materiales. Con cursos de la vida de más de 30.000 horas de HTOE de solos diodos láser desmontados del emisor permita los sistemas con cursos de la vida extraordinarios, permitiendo que usted ofrezca garantías atractivas y más competitivas a sus clientes.
Parámetros (25℃)
| Parámetro |
Unidad |
HTOE-E-500-0808-TE-001W-900
|
| Parámetro óptico |
P de potencia de salidao |
mW |
1000 |
| Λ de centrocde la longitud de onda |
nanómetro |
808 ± 5 |
| ⊥×θ∥ del θ de la divergencia del haz |
grado |
38x10 |
| BACALAO |
W |
≥ 2,00 |
| Geométrico |
Anchura del emisor |
μm |
100 |
| Anchura |
μm |
500 |
| Longitud de la cavidad |
μm |
900 |
| Parámetro eléctrico |
Eficacia Esde la cuesta |
W/A |
≥ 1,10 |
| Th de la corriente Idel umbral |
A |
≤ 0,24 |
| Corriente de funcionamiento If |
A |
≤ 1,20 |
| Voltaje de funcionamiento Vf |
V |
≤ 2,00 |
Aviso
1. Aviso del artículo: HTOE-E-500 (anchura) - 0808 (longitud de onda de centro) - TE (modo) de la polarización - 001W (de potencia de salida) - 900 (longitud de la cavidad).
2. La hoja de datos se basa en los resultados de la prueba debajo de 25℃.
3. La hoja de datos se basa en la prueba del paquete del C-soporte.
4. Para más información, entre en contacto con por favor la optoelectrónica de alta tecnología Co., Ltd.
