Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd

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Alta eficacia del Eo del canal del semiconductor del diodo láser micro del diodo láser 100w

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Ciudad:beijing
Provincia / Estado:beijing
País/Región:china
Persona de contacto:MissMi Tian
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Alta eficacia del Eo del canal del semiconductor del diodo láser micro del diodo láser 100w

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Brand Name :HTOE
Model Number :LDAC3-0808-100W
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :5 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :10-20 working days
Packaging Details :Paper Box
Operation Mode :CW
Center Wavelength :808 nm
Output Power :100 Watt
Operating Current :< 110 A
Operating Voltage/Bar :< 2.0 V
Operating Temperature :15 ~ 35 ℃
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arsenal horizontal de 100 vatios, diodo láser refrigerado por agua del semiconductor del Macro-canal

 

Las barras de la serie de LDA proveen de clientes del OEM poder escalable hasta los kilovatios para bombear, industriales embalados poder más elevado, médicos y los usos. Las barras embaladas del laser se pueden configurar para el brillo aumentado con el amontonamiento, escalado linear o verticalmente para la integración ligera y material optimizada. Oferta de la serie de LDA

  • Longitudes de onda en 808nm a la gama 1100nm
  • Diseño modular y compacto para la facilidad de la integración
  • Hasta las barras del diodo láser de 100W CW y de 300W QCW para el alto brillo
  • Barra embalada del diodo láser de 10m m, diversas configuraciones estándar de la barra (configuraciones de encargo de la barra disponibles a petición)

Parámetros (25℃)

 

órdenes horizontales refrigerados por agua del Macro-canal
Parámetro Unidad LDAC3-0808-100W
Parámetro óptico Modo de operación - CW
Longitud de onda de centro nanómetro 808
De potencia de salida/barra W 100
Anchura espectral nanómetro <5
Ratio de la temperatura de Wavelength& nm/℃ 0,28
Divergencia rápida de AXIS grado <39
Divergencia lenta de AXIS grado <10
Parámetro eléctrico Corriente del umbral A <25
Corriente de funcionamiento A <110
Voltaje de funcionamiento/barra V <2.0
Parámetro termal Temporeros de funcionamiento. 15 ~ 35
Temporeros del almacenamiento. -10 ~ 60
 
 

Información del paquete

Alta eficacia del Eo del canal del semiconductor del diodo láser micro del diodo láser 100w

 

Aviso

 

1. Aviso modelo del artículo: LDAC3 (modelo) del artículo - 0808 (longitud de onda de centro) - 100W (de potencia de salida).

2. Los datos del paquete están solamente para la referencia, que se puede modificar para requisitos particulares según los dibujos estudio del cliente.

3. Asegúrese de por favor que el diodo láser esté actuado bajo temperatura entre 15℃ y 35℃, como la temperatura alta aumentará la corriente del umbral, disminuirá el tipo de cambio y acelerará el envejecimiento.

4. Tome por favor las medidas para evitar la condensación, que causará el envejecimiento del diodo láser.

5. Para más información, entre en contacto con por favor la optoelectrónica de alta tecnología Co., Ltd.

 

Etiquetas de productos:
Carro de la investigación 0