barra del diodo láser del poder más elevado de 100 vatios, 808 barra desmontada del diodo láser del nanómetro QCW
Los lasers del semiconductor son la pieza central la mayor parte de los sistemas industriales de hoy del laser. Si el tratamiento de materiales directo o el bombeo óptico de láseres de estado sólido, los lasers de la fibra o los lasers del disco, los solos emisores desmontados y las barras es el componente clave para la conversión inicial de la energía eléctrica en luz.
HTOE se ha estado centrando en la tecnología de la oblea de semiconductor a partir de 1998, entrega el poder más elevado con varios modos de funcionamiento en las longitudes de onda entre 635 y 1064nm.
- Barras desmontadas con varios modos de funcionamiento del poder más elevado hasta salida de 40W CW y de 200W QCW
- Solos emisores desmontados hasta poder de 2W CW
- Las longitudes de onda disponibles incluyen 635nm, 650nm, 808nm, 980nm y 1064nm
Parámetros (25℃)
| Parámetro |
Unidad |
LDAQ1-0808-0100 |
| Parámetro óptico |
Modo de operación |
- |
QCW |
| P de potencia de salidao |
W |
100 |
| Λ de centrocde la longitud de onda |
nanómetro |
808 ± 5 |
| Geométrico |
Llene el factor |
- |
el 87% |
| Número de solos emisores desmontados |
- |
100 |
| Parámetro eléctrico |
Eficacia Esde la cuesta |
W/A |
≥1.2 |
| Th de la corriente Idel umbral |
A |
≤20 |
| Corriente de funcionamiento If |
A |
≤100 |
| Voltaje de funcionamiento Vf |
V |
≤3 |
Aviso
1. Aviso del artículo: LDAQ1 (modelo) del artículo - **** (longitud de onda de centro) - **** (de potencia de salida).
2. La hoja de datos se basa en el resultado de la prueba bajo 25℃, la anchura de pulso 200μs, la frecuencia 1-100Hz, el ciclo de trabajo máximo el 2%, y uso típico 0,4%.
3. La hoja de datos se basa en la prueba del paquete del CS.
4. Para más información, entre en contacto con por favor la optoelectrónica de alta tecnología Co., Ltd.
