Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd

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del solo diodo del emisor 670nm alto Effiency 300mw poder electróptico del laser

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Provincia / Estado:beijing
País/Región:china
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del solo diodo del emisor 670nm alto Effiency 300mw poder electróptico del laser

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Brand Name :HTOE
Model Number :LDM-0670-300m-*3
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :50 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :10-20 working days
Packaging Details :Paper Box
Output power :300 mWatt
Lasing Wavelength :670±10 nm
Operating Current :≤1 A
Operating Voltage :≤2.3 V
Package :C-Mount/TOØ3
Threshold Current :≤0.6 A
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la longitud de onda de potencia de salida 300mW 670nm empaquetó el solo laser del diodo del emisor

Pues uno de serie de HTOE LDM empaquetó los solos emisores, LDM-0670-300m-*3 es diodo láser del semiconductor de la cavidad de Fabry-Perot basado en la epitaxia de Quantum-bien y el diseño de la estructura de la guía de onda de canto. Los solos emisores embalados HTOE proporcionan confiabilidad y funcionamiento excelentes. La longitud de onda de centro incluye 635nm, 650nm, 670nm, 785nm, 808nm, 830nm, 9xxnm y 1064 nanómetro. Los diseños de paquete incluyen a los soportes, a los soportes de CoS, a los C-soportes y a los F-soportes. Proporcione el haz que forma servicios como la compresión de rápido-AXIS según demandas de los clientes

 

Un diodo láser es eléctricamente un diodo de PIN. La región activa del diodo láser está en (i) la región intrínseca, y los portadores (los electrones y los agujeros) se bombean en esa región de las regiones de N y de P respectivamente. Mientras que la investigación inicial del laser del diodo fue conducida sobre los diodos simples del P-N, todos los lasers modernos utilizan la puesta en práctica de la doble-hetero-estructura, donde los portadores y los fotones se confinan para maximizar sus ocasiones para la recombinación y la generación de la luz.

 

Características

  • vatio de los 300m de potencia de salida
  • longitud de onda del centro 670nm
  • Haz que forma servicios
  • C-soporte y 3m m adentro para empaquetar opciones
  • Alto effiency electróptico
  • Alta confiabilidad

Parámetros (20℃)

C-Mount/TOØ3 embalados escogen el emisor
Artículo Parámetro Unidad LDM-0670-300m-*3
Mínimo. Típico Máximo.
Parámetro óptico De potencia de salida mW - 300 -
Longitud de onda de Lasing nanómetro 660 670 680
Anchura espectral nanómetro - 1,0 2,0
Emisión de anchura del área µm - 100 -
Coeficiente de temperatura nm/℃ - 0,30 -
Divergencia rápida de AXIS grado - 34 38
Divergencia lenta de AXIS grado - 7 10
Parámetro eléctrico Eficacia de la cuesta W/A 0,90 - -
Corriente del umbral A - 0,50 0,60
Corriente de funcionamiento A - 0,80 1,00
Voltaje de funcionamiento V - 2,00 2,30
Otros Paquete - C-Mount/TOØ3
Temperatura de funcionamiento 10 ~ 30
Temperatura de almacenamiento -10 ~ 60
 

Información del paquete

del solo diodo del emisor 670nm alto Effiency 300mw poder electróptico del laser

Paquete del C-soporte

del solo diodo del emisor 670nm alto Effiency 300mw poder electróptico del laser

Paquete TOØ3

 

Curva de la función

del solo diodo del emisor 670nm alto Effiency 300mw poder electróptico del laser

               Curva espectral de la curva de P-I-V

 

Aviso

  1. Aviso modelo del artículo: LDM (modelo) del artículo, 0670 (longitud de onda de centro), los 300m (de potencia de salida), *3 (estructura del disipador de calor y anchura del artículo).
  2. Los datos en la hoja todos se basan en la prueba del disipador de calor del paquete del C-soporte.
  3. Almacene o utilice por favor el LD bajo flujo seco y de aire ambiente. Para evitar cualquier situación de la condensación que dañe el LD.

  4. El trabajo bajo temperatura alta aumentará el umbral actual y disminuir la conversión de la eficacia, acelere el envejecimiento del LD.

  5. La salida de poder del excedente acelerará el envejecimiento del LD.

  6. Para más información, entre en contacto con por favor la optoelectrónica de alta tecnología Co., Ltd.

 

 

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Carro de la investigación 0