Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd
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Los materiales cerámicos de nitruro de silicio de alto rendimiento desarrollados para la industria del aluminio han mejorado significativamente sus propiedades térmicas y mecánicas en comparación con productos similares.El "aparato de calefacción sumergida de alta conductividad térmica en forma de L" traerá un progreso revolucionario a los equipos industriales de aluminio.
Las piezas estructurales especiales con altos requisitos de resistencia al choque térmico son áreas en las que los materiales cerámicos de nitruro de silicio pueden desarrollarse vigorosamente en el futuro.En zonas de aplicación con altas temperaturas, fuerte corrosión y alta resistencia al desgaste, las cerámicas de nitruro de silicio se utilizan para reemplazar algunos carburo cementado, alumina, materiales como zirconio y carburo de silicio se convertirán en una tendencia.
Datos relacionados con el nitruro de silicio
| Componente principal | 99%Al2O3 | S-SiC | ZrO2 | Si3N4 | ||
| - ¿Qué es eso? Propiedad |
Densidad | G/cm3 | 3.9 | 3.1 | 6 | 3.2 |
| Absorción de agua | % | 0 | 0.1 | 0 | 0.1 | |
| Temperatura de sinterización | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
| Mecánica Propiedad |
Dureza de Rockwell | HV | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
| Fuerza de flexión | Se aplican las siguientes medidas: | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
| Intensidad de compresión | Se aplican las siguientes medidas: | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
| La energía térmica Propiedad |
Trabajo máximo La temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
| expansión térmica el coeficiente 0 a 1000 °C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 ((0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 ((0-500°C) | |
| 5.2*10-6 ((500-1000°C) | 4.0*10-6 ((500-1000°C) | |||||
| Resistencia al choque térmico | T ((°C) | 200 | 250 | 300 | Entre 400 y 500 | |
| Conductividad térmica | W/m.k ((25°C) | 31 | 100 | 3 | 25 | |
| 300 °C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
| Eléctrico Propiedad |
Tasa de resistencia del volumen | ◎.cm | ||||
| 20 °C | >1012 | 106 a 108 años | > 1010 | > 1011 | ||
| 100 °C | 1012 a 1013 | ¿Qué quieres decir? | ¿Qué quieres decir? | > 1011 | ||
| 300 °C | >1012 | ¿Qué quieres decir? | ¿Qué quieres decir? | > 1011 | ||
| Descomposición del aislamiento Intensidad |
KV/mm | 18 | el semiconductor | 9 | 17.7 | |
| Constante dieléctrica (1 MHz) | (E) | 10 | ¿Qué quieres decir? | 29 | 7 | |
| Dissipación dieléctrica | (tg o) | 0.4*10-3 | ¿Qué quieres decir? | ¿Qué quieres decir? | ¿Qué quieres decir? | |