Características de producto
Dispositivos activos del GaAs
Aumento 25dB del poder
Distorsión baja
Aumento linear excelente
Figura de poco ruido
Alta confiabilidad
Paquete compatible de industria
Descripción de producto
CGD825E es un módulo del amplificador del doble del poder combinado por los dispositivos activos del Si RF y del GaAs; Es conveniente utilizar en el amplificador de potencia del sistema de transferencia de CATV; La gama de frecuencia de funcionamiento es 40-870 megaciclos; El voltaje de abastecimiento es 24V; El paquete exterior utiliza la industria SOT115J compatible.
Especificaciones de la tecnología
(Ancho de banda 40 a 870 megaciclos; TCASE 25, VDD 24V, ZSZL75Ω)
| Artículo no: CGD825E |
| Símbolo |
Parámetros |
Unidad |
Mínimo. |
Tipo. |
Máximo. |
Condición |
| BW |
Gama de frecuencia |
Megaciclo |
40 |
- |
870 |
|
| GA |
Aumento |
DB |
24,5 |
25 |
26,5 |
f = 870MHz |
| S |
Cuesta del aumento |
DB |
0,5 |
- |
2,0 |
f = 40 a 870 megaciclos |
| GF |
Llanura del aumento |
DB |
- |
±0.6 |
- |
f = 40 a 870 megaciclos |
| S11 |
Pérdida de vuelta entrada |
DB
DB
DB |
|
18 |
-
-
- |
f = 40 a 160MHz
f = 160 a 320 megaciclos
f = 320 a 870 megaciclos |
| S22 |
Pérdida de vuelta de la salida |
DB |
|
18 |
-
-
- |
f = 40 a 160MHz
f = 160 a 320 megaciclos
f = 320 a 870 megaciclos |
| CTB |
Golpe triple compuesto |
DB |
- |
-70 -65 |
- |
77 canales, Vout=56dBmV/ch
110 canales, Vout=52dBmV/ch |
| CSO |
Segundo orden compuesto |
DB |
-
- |
-70 -60 |
- |
77 canales, Vout=56dBmV/ch
110 canales, Vout=52dBmV/ch |
| Xmod |
Modulación cruzada |
DB |
- |
-60 |
- |
77 canales, Vout=56dBmV/ch
110 canales, Vout=52dBmV/ch |
| Itot |
Consumo actual total |
mA |
|
485 |
|
Valor de DC; V B= + 24V |
| N-F |
Figura de ruido |
DB |
- |
6,5 |
|
f = 870 megaciclos |
| V 0 |
Voltaje de salida |
dBµV |
- |
126 |
- |
|
| T DE OP. SYS. |
Temperatura de funcionamiento |
|
-20 |
- |
110 |
|
| T STG |
Temperatura de almacenamiento |
|
-30 |
- |
110 |
