Metal refractario Co., Ltd de Zhuzhou Jiabang

Zhuzhou Jiabang Refractory Metal Co., Ltd

Manufacturer from China
Miembro activo
8 Años
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Cu/disipador de calor y cuñas del CPC Mocu de Mo70Cu/del Cu para el dispositivo de poder más elevado

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Metal refractario Co., Ltd de Zhuzhou Jiabang
Ciudad:zhuzhou
Provincia / Estado:hunan
País/Región:china
Persona de contacto:MsWu
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Cu/disipador de calor y cuñas del CPC Mocu de Mo70Cu/del Cu para el dispositivo de poder más elevado

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Número de modelo :CPC141, CPC232, CPC300
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :negociación
Condiciones de pago :L/C, T/T, Western Union
Plazo de expedición :15 días
Detalles de empaquetado :como el cliente requirió
Materiales :de cobre/moly cobre/cobre
Densidad :9,2
CTE :9,5
TC :260
Aplicación :Paquete del dispositivo de poder del RF
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Cu/Mo70Cu/disipadores de calor y cuñas del Cu (CPC) para el dispositivo de poder más elevado


Descripción:

Cu/Mo70Cu/Cu es un similar compuesto del bocadillo al de Cu/Mo/Cu con una capa de la base de la aleación de Mo70-Cu y dos capas revestidas de cobre. El ratio del grueso en Cu: MES-Cu: El Cu es 1: 4: 1. Tiene diverso CTE en la dirección de X y de Y, con una conductividad termal más alta que el del Cu &Cu/Mo/Cu de W (MES) y menos costoso. Todos los tipos de hojas de Cu/Mo70Cu/Cu se pueden sellar en componentes.

Ventajas:
1.More fácilmente que se sellará en componentes que el CMC
vinculación fuerte del interfaz 2.Very que puede resistir en varias ocasiones choque del calor 850℃
conductividad 3.Higher y más barato termales
magnetismo 4.No
 

Propiedades del producto:
Grado Densidad g/cm3

Coeficiente de la termal

Extensión ×10-6 (20℃)

Coeficiente de la termal

Extensión ×10-6 (20℃)

CPC141 9,5 7,3

280 (XY)/170 (Z)

CPC232 9,3 10,2           255 (XY)/250 (Z)

 

 

Uso:
Usos típicos: Portadores y disipadores de calor, paquetes de BGA, paquetes del LED, soporte del dispositivo del GaAs, estaciones base de la microonda del teléfono móvil.

 

 

Imagen del producto:

Cu/disipador de calor y cuñas del CPC Mocu de Mo70Cu/del Cu para el dispositivo de poder más elevado

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