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| Situación sin plomo/situación de RoHS: |
Sin plomo/RoHS obediente |
| Descripción detallada: |
SRAM - Memoria asincrónica IC 4Mb (512K x 8) 10ns paralelo 36-SOJ |
| Voltaje - fuente: |
1,65 V ~ 3,6 V |
| Tamaño de la memoria: |
4Mb (512K x 8) |
| Interfaz de la memoria: |
Paralelo |
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página: |
10ns |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): |
3 (168 horas) |
| Formato de la memoria: |
SRAM |
| Tecnología: |
SRAM - Asincrónico |
| Temperatura de funcionamiento: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Puntos culminantes calientes de las ofertas
| Modelo del producto |
Marca |
| ATSAMD20E17A-MUT |
MICROCHIP |
| IRF7832TRPBF |
INFINE0N |
| CY8C4025AXI-S412 |
CYPRESS |
| ADC78H90CIMTX/NOPB |
TI |
| DPS310XTSA1 |
INFINE0N |
| TLC5941QPWPRQ1 |
TI |
| TPD2S701QDSKRQ1 |
TI |
| TPD8F003DQDR |
TI |
| MC9S08AW32CFUE |
|
| MSP430FR2311IPW20R |
TI |
Problema común
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