Electrónica de Topmatch (Suzhou) Co., limitada.

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La interconexión de alta densidad de LPDDR4 DDR4 sube a la perforación del laser de 0.075m m

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Electrónica de Topmatch (Suzhou) Co., limitada.
Ciudad:suzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MrJerry He
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La interconexión de alta densidad de LPDDR4 DDR4 sube a la perforación del laser de 0.075m m

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Number modelo :PWB del zócalo de RDA
Lugar del origen :Suzhou China
Cantidad de orden mínima :Negociación
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :10000unit por mes
Plazo de expedición :días 10-14working
Detalles de empaquetado :20unit por tamaño del paquete del paquete: los 20*15*10cm
Nombre :PWB del zócalo de RDA
Cuenta de la capa :10Layer
Grueso del tablero :2.0m m
Vias :Vias ciegos, vias enterrados, vias del Cu del terraplén
Apile para arriba :10L anylayer, 4-2-4
Tratamiento del final :Oro de la inmersión
Tamaño de la unidad :23.6*23.6m m (L*W)
Tamaño de la echada :0.3m m
Tratamiento superficial :oro de la inmersión
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La interconexión de alta densidad de la interposición LPDDR4 DDR4 del zócalo sube a la perforación del laser de 0.075m m

2.0m m HDI PCBs para la interposición del zócalo LPDDR4 apilan para arriba el oro de la inmersión 4-2-4

 

 

DDR4 actúa con el doble la velocidad de DDR3. DDR4 actúa en el voltaje de funcionamiento bajo (1.2V) y una tasa de transferencia más alta. La tasa de transferencia de DDR4 es 2133 ~ 3200MT/s. DDR4 añade tecnología de cuatro nueva grupos bancarios. Cada grupo bancario tiene la característica de una operación sin ayuda. El DDR4 puede procesar 4 datos dentro de un ciclo de reloj, así que la eficacia de DDR4 es mejor que DDR3. DDR4 tiene algunas funciones adicionales tales como DBI (inversión del ómnibus de datos), CRC (control por redundancia cíclica) en el ómnibus de datos, y la paridad del comando/dirección. Estas funciones pueden aumentar la integridad de la señal de la memoria DDR4 y mejorar la estabilidad de la transmisión de datos/del acceso. La programación independiente de copitas individuales en un DIMM permite un mejor control de la terminación del en-dado.

 

 

 

La interconexión de alta densidad de LPDDR4 DDR4 sube a la perforación del laser de 0.075m m

 

2 . Especificaciones:

 

 
Nombre interposición LPDDR4 PCBs de 2.0m m
Número de capas 4-2-4 capas
Grado de calidad Clase 2, clase 3 de IPC 6012 de IPC 6012
Material Materiales sin plomo
Grueso 2.0m m
Min Track /Spacing 3/3mil
Min Hole Size perforación del laser de 0.075m m
Máscara de la soldadura Verde
Serigrafía Blanco
Final superficial Oro de la inmersión
Cobre acabado 1OZ
Plazo de ejecución 28-35 días
Servicio rápido de la vuelta

 

 

1 . Descripciones:

 

¿Cuál es los cambios de la disposición del PWB necesarios para la puesta en práctica DDR4?

 

DDR4 o la tarifa de datos doble 4 viene en dos tipos distintos del módulo. So-DIMM o módulos en línea duales de la memoria del pequeño esquema (260-pins) que son funcionando en dispositivos computacionales portátiles como los ordenadores portátiles. El otro tipo del módulo es DIMM o los módulos en línea duales de la memoria (288-pins) que son funcionando en dispositivos como las mesas y los servidores.

Así pues, el primer cambio en arquitectura es, por supuesto, debido a la cuenta de perno. La iteración anterior (DDR3) utiliza 240 pernos para un DIMM y 204 pernos para un So-DIMM. Considerando que haber mencionado previamente, DDR4 utiliza 288 pernos para su uso de DIMM. Con el aumento en pernos o contactos, DDR4 ofrece capacidades más altas de DIMM, integridad de datos aumentada, una velocidad más rápida de la transferencia directa, y un aumento en eficacia de poder.

 

El acompañamiento de esta mejora total en funcionamiento es también un diseño curvado (la parte inferior) que permite mejor, un accesorio más seguro, y lo mejora estabilidad y fuerza durante la instalación. También, hay las pruebas por banco que confirman que DDR4 ofrece un aumento del 50% en funcionamiento y puede alcanzar hasta 3.200 MTs (transferencias mega por en segundo lugar).

Además, alcanza estos aumentos en funcionamiento a pesar de usar menos poder; 1,2 voltios (por DIMM) en vez del requisito de 1,5 a 1,35 voltios de su precursor. Todos estos cambios significan que los diseñadores del PWB deben valorar de nuevo su acercamiento del diseño para la puesta en práctica de DDR4.

 

 

 

Carro de la investigación 0