Tecnología Co., Ltd. de Shenzhen Gigaopto

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1.25Gbps BI óptico OSA direccional del SC del sub-ensamble parcial TX1550nm DFB RX1490nm APD LC del WDM BOSA

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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1.25Gbps BI óptico OSA direccional del SC del sub-ensamble parcial TX1550nm DFB RX1490nm APD LC del WDM BOSA

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Number modelo :BOSA-T1550DFB-R1490APD-1.25G-LC-REC
Lugar del origen :Shenzhen, China
Cantidad de orden mínima :1 PCS
Condiciones de pago :T/T, Western Union
Capacidad de la fuente :500.000 PC/mes
Plazo de expedición :1-5 días laborables
Detalles de empaquetado :25pcs por la bandeja
Tasa de transferencia de los datos :1.25Gb/s
longitud de onda :TX1550nm/RX1310nm
Conector óptico :Receptáculo de LC/SC
Tipo del LD :DFB
Tipo del paladio :APD
Sensibilidad :<-31dbm>
Palabras claves :1.25Gbps WDM BOSA, 1.25G BOSA 1550nm
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sub-ensamble parcial óptico bidireccional del SC del WDM TX1550nm DFB/RX1490nm APD LC de 1.25Gbps BOSA

 

 

Descripción

 

El BOSA-T1550DFB-R1490APD-1.25G-LC-REC Del GIGAOPTO se integra con el transmisor de 1.25Gb/s 1550nm DFB y el receptor de 1490nm APD así como el conector del LC o del SC.

 

 

Grados máximos absolutos (Tc=25℃)

 

Parámetro Símbolo Mínimo. Máximo. Unidad
Voltaje reverso (LD) VRL --- 2 V
Actual delantero (LD) SI YO --- 150 mA
Voltaje reverso del fotodiodo (MPD) VRD --- 20 V
Corriente delantera del fotodiodo (MPD) IFD --- 10 mA
Voltaje de TIA Operating VCC +3,0 +3,6 V
Temperatura de caso de funcionamiento Top -40 +85
Temperatura de almacenamiento TSTG -40 +85
Temperatura que suelda de la ventaja (10sec máximos) TS --- 260
ESD 500 --- --- V

 

 

Características ópticas y eléctricas

 

Parámetro Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidad Condición de prueba
Transmisor (Tc=25±3℃)
Corriente del umbral Ith 3 8 15 mA CW, TC =25℃
    --- --- 40   CW, TC = -40~85℃
De potencia de salida óptico PF 1,3 --- 2,6 mW CW, Iop=Ith+20mA
Longitud de onda de centro λc 1540 1550 1560 nanómetro

CW, IOP =30mA

Tc=-40℃~+85℃

Voltaje de funcionamiento Vf --- 1,2 1,6 V CW, Iop=Ith+20mA
Tiempo de la subida/caída Tr /Tf --- 150 300 picosegundo Ib=Ith, el 20%~80%
Anchura del espectro (- 20dB) Δλ --- --- 1,0 nanómetro IOP =30mA, CW
Corriente del monitor Im 100 --- 1200 μA CW, Iop=Ith+20mA, VRD=1V
Ratio lateral de la supresión del modo SMSR 30 35 --- DB Iop= 30mA
Error de seguimiento (CW) TE -1,5 --- 1,5 DB

APC, Tc=-40~+85℃,

Montior hold@Iop actual =Ith+20mA

Receptor (Tc=25±3℃)
Voltaje de fuente VCC 3,0 3,3 3,6 V ---
Fuente actual Icc 10 20 32 mA ---
Longitud de onda óptica λ 1470 1490 1510 nanómetro ---
Sensibilidad Senador. --- --- -31 dBm

λ=1490nm, NRZ,

1.25Gbps, PRBS=2^7-1,

ER=10dB,

BER=10-10,

VBR-3, CW

Poder de la sobrecarga Político -7 --- --- dBm  
Voltaje de avería de APD Vbr 30 --- 55 V Id=10uA, VCC APAGADO
Paladio Responsivity R 0,7 --- --- A/W CW, λ=1550nm

 

 

Características

 

  • El laser soldó con autógena el paquete
  • transmisor de 1550nm MQW DFB, receptor de 1310nm APD
  • Paquete de la fibra del solo modo con el conector de LC/SC
  • Alta sensibilidad
  • Productos obedientes de ROHS disponibles
  • Gama de temperaturas de funcionamiento: -40°C~85°C

 

 

Uso

 

  • Telecomunicación
  • De comunicación de datos

 

 

Dibujo de esquema (unidad: milímetro)

 

1.25Gbps BI óptico OSA direccional del SC del sub-ensamble parcial TX1550nm DFB RX1490nm APD LC del WDM BOSA

 

 

 

Carro de la investigación 0