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Casa / Productos / SiC Substrate / Wafer epitaxial SiC de 6 pulgadas de ultraalta tensión 100 ¢ 500 μm para dispositivos MOSFET /

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Oblea de silicio de IC

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Zafiro sintético Rod

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Placa del cuarzo fundido

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Piezas del zafiro

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Piedra preciosa sintética

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Equipo del semiconductor

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Oblea LiNbO3

 [18]

Oblea del GaAs

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substrato de cerámica

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Envoltura del laboratorio

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Wafer epitaxial SiC de 6 pulgadas de ultraalta tensión 100 ¢ 500 μm para dispositivos MOSFET
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Wafer epitaxial SiC de 6 pulgadas de ultra alto voltaje Introducción principal Wafer epitaxial SiC de 6 pulgadas de ultraalta tensión 100 ¢ 500 μm ...
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