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Resumen de lasOferta de SiCOI
Las obleas SICOI (Carburo de silicio en aislante) representan una tecnología de sustrato compuesto avanzada fabricada a través de procesos de Smart Cut TM o Bonding & Thinning. ZMSH supply 4-6 inch 4H-SICOI wafers by integrating high-quality SiC thin films with insulating layers (SiO₂/AlN) on silicon or SiC substrates via hydrophilic bonding or plasma-activated bonding techniques. Proceso Smart CutTM: utiliza el implante de iones de hidrógeno, la unión a baja temperatura y la exfoliación de precisión para lograr capas de SiC ultrafinas (50nm-20μm) con uniformidad de espesor de ±20nm,ideal para alta frecuencia, dispositivos de baja pérdida. Proceso de molienda + CMP: adecuado para requisitos de película más gruesa (200 nm a espesores personalizados) con uniformidad ± 100 nm, ofreciendo eficiencia de costos para aplicaciones de electrónica de potencia. Las ZMSH proporcionan películas de SiC conductoras o semi-aislantes personalizables,con opciones para la optimización del recocido por implantación iónica o el adelgazamiento o pulido directo para satisfacer diversos requisitos de rendimiento y costo.
| Componente | Propiedad | Especificación | Norma de medición |
| Película de 4H-SiC | Estructura de cristal | 4H-SiC de un solo cristal | Las demás partidas |
| Densidad de defectos | < 103 cm−2 (dislocaciones de roscado) | ||
| Roughness de la superficie (Ra) | < 0,5 nm | Medición del AFM | |
| Resistencia semisolante | > 106 Ω·cm | Sección MF397 | |
| Rango de dopaje del tipo N | 1016 a 1019 cm−3 | ||
| Conductividad térmica | Las emisiones de gases de efecto invernadero de combustibles fósiles | ||
| Capa de SiO2 | Método de formación | Oxidación térmica | |
| Constante dieléctrica (ε) | 3.9 | Se aplicarán las siguientes medidas: | |
| Fuerza del campo de ruptura | > 10 MV/cm | ||
| Densidad de la trampa de la interfaz | < 1011 cm-2eV-1 | ||
| Si Substrato | Expansión térmica (CTE) | - 3,5 × 10 - 6 °C | |
| Arco de obleas (8 pulgadas) | < 50 μm | Sección M1 | |
| Estabilidad a temperatura | > 300 °C | ||
| Rendimiento integrado | Apoyo de tamaño de la oblea | Formatos de 4 a 8 pulgadas |
1. Energía electrónica
Inversores EV: Los MOSFET SiC en sustratos SICOI funcionan a 1200V con pérdidas de conmutación 30% más bajas, compatibles con sistemas de carga rápida de 800V.
Motor industrial: las obleas SICOI con capas aislantes de AlN mejoran la disipación de calor en un 50%, apoyando el embalaje de módulos > 10kW.
2. Comunicaciones RF y 5G
Amplificadores de potencia de onda de mm: los HEMT GaN en SICOI semi-aislantes alcanzan una salida de 8W/mm a 28GHz con una eficiencia > 65%.
Antennas de matriz en fase: baja pérdida dieléctrica (tanδ <0,001) minimiza la atenuación de la señal para las comunicaciones por satélite.
3Computación cuántica y sensores
Spin Qubit Carriers: las películas de SiC ultrafinas (<100nm) proporcionan entornos de bajo ruido, extendiendo los tiempos de coherencia más allá de 1 ms.
Sensores MEMS de alta velocidad: funcionamiento estable a 300 °C para el monitoreo de motores aeroespaciales.
4Electrónica de consumo
IC de carga rápida: Los dispositivos GaN basados en SICOI permiten cargar > 200W con una huella 40% menor.
Como proveedor líder de sustratos de semiconductores de banda ancha, ofrecemos soporte técnico de extremo a extremo desde I + D hasta la producción en masa:
· Desarrollo personalizado: Optimizar el espesor de la película de SiC (en nanoescala a micras), el dopaje (tipo N/P) y las capas aislantes (SiO2/AlN/Si3N4) según los requisitos del dispositivo.
· Consulta de procesos: recomendar soluciones Smart CutTM (alta precisión) o Grinding+CMP (efectivas en términos de costes) con datos comparativos.
· Pruebas a nivel de obleas: incluye el análisis del estado de la interfaz, el mapeo de la resistencia térmica y la validación de la fiabilidad de alta tensión.
1P: ¿Qué es una oblea SICOI?
R: La oblea SICOI (Carburo de Silicio en aislante) es un sustrato compuesto avanzado que integra una película monocristalina 4H-SiC con una capa aislante de SiO2 sobre una base de silicio/zafiro.que permiten dispositivos de alta potencia y RF con un rendimiento térmico/eléctrico superior.
2P: ¿Cómo se compara SICOI con SOI?
R: SICOI ofrece una conductividad térmica 5 veces mayor (> 300W / m · K) y un voltaje de ruptura 3 veces mayor (> 8MV / cm) que SOI, lo que lo hace ideal para electrónica de potencia de 800V + y aplicaciones 5G mmWave.
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