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Wafer de zafiro – Fuera del eje C hacia el plano M 8° , Al₂O₃, Diámetro 2"/3"/4"/6"/8", Grosor personalizado
Este wafer de zafiro de alta precisión presenta un 8° fuera de eje C hacia la orientación del plano M y 99.999% (5N) de pureza, optimizado para un crecimiento epitaxial superior en aplicaciones optoelectrónicas y de semiconductores avanzadas. Disponible en diámetros estándar (2" a 8") con grosores personalizables, proporciona una uniformidad cristalográfica excepcional, una densidad de defectos ultrabaja y una estabilidad térmica/química sobresaliente. El ángulo de corte fuera de 1° controlado mejora la epitaxia de GaN y AlN al reducir los defectos de agrupamiento de escalones, lo que lo hace ideal para LED de alto rendimiento, diodos láser, electrónica de potencia y dispositivos de RF.
Características clave del wafer de zafiro
Orientación de corte fuera de precisión
8° fuera del eje C hacia el plano M, diseñado para mejorar la uniformidad de la película epitaxial y minimizar los defectos en dispositivos basados en GaN.
Pureza ultra alta (5N Al₂O₃)
99.999% de pureza con impurezas traza (Fe, Ti, Si) <5 ppm, lo que garantiza un rendimiento eléctrico y óptico óptimo.
Diámetros: 2", 3", 4", 6", 8" (tolerancia de ±0.1 mm).
Grosor: 100 µm a 1,500 µm (tolerancia de ±5 µm), adaptado para
aplicaciones específicas.
Pulido listo para epi: Ra <0.5 nm (cara frontal) para la deposición de película delgada sin defectos.
Estabilidad térmica: Punto de fusión ~2,050°C, adecuado para
procesos de alta temperatura (MOCVD, MBE).
Transparencia óptica: >85% de transmisión (UV a infrarrojo medio: 250 nm–5,000 nm).
Robustez mecánica: 9 de dureza Mohs, resistente al grabado químico y a la abrasión.
Aplicaciones del wafer de zafiro
Optoelectrónica
LED/Diodos láser basados en GaN: LED azules/UV, micro-LED y VCSEL.
Ventanas láser de alta potencia: Componentes láser de CO₂ y excímeros.
Electrónica de potencia y RF
HEMT (transistores de alta movilidad de electrones): Amplificadores de potencia 5G/6G y sistemas de radar.
Diodos Schottky y MOSFET: Dispositivos de alto voltaje para vehículos eléctricos.
Industrial y defensa
Ventanas IR y cúpulas de misiles: Alta transparencia en entornos hostiles.
Sensores de zafiro: Cubiertas resistentes a la corrosión para monitoreo industrial.
Tecnologías cuánticas e investigación
Sustratos para qubits superconductores (computación cuántica).
Cristales SPDC (Conversión Paramétrica Espontánea) para óptica cuántica.
Semiconductores y MEMS
Wafers SOI (silicio sobre aislante) para circuitos integrados avanzados.
Sensores de presión MEMS que requieren inercia química.
Especificaciones
|
Parámetro |
Valor |
|---|---|
| Diámetro | 2", 3", 4", 6", 8" (±0.1 mm) |
| Grosor | Personalizado (100–1,500 µm ±5 µm) |
| Orientación | fuera del eje C hacia el plano M 8° |
| Pureza | 99.999% (5N Al₂O₃) |
| Rugosidad superficial (Ra) | <0.5 nm (listo para epi) |
| Densidad de dislocación | <500 cm⁻² |
| TTV (Variación total del grosor) | <10 µm |
| Alabeo/Deformación | <15 µm |
| Transparencia óptica | 250–5,000 nm (>85%) |
Preguntas y respuestas
P1: ¿Puedo solicitar un ángulo de corte fuera diferente (por ejemplo, 0.5° o 2°)?
A2: Sí. Los ángulos de corte fuera personalizados están disponibles con una tolerancia de ±0.1°.
P2: ¿Cuál es el grosor máximo disponible?
A6: Hasta 1,500 µm (1.5 mm) para la estabilidad mecánica en aplicaciones de alta tensión.
P3: ¿Cómo deben almacenarse los wafers para evitar la contaminación?
A10: Almacenar en casetes compatibles con sala blanca o armarios de nitrógeno (20–25°C, humedad <40%).