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HPSI Wafers de SiC de alta pureza semisoladores 2/3/4/6/8 pulgadas Prime/Dummy/Grade de investigación
Las obleas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza (HPSI) son sustratos semiconductores avanzados diseñados para aplicaciones de alta frecuencia, alta potencia y alta temperatura.3 pulgadas, de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas de diámetro, estas obleas se ofrecen en grados Prime (grado de producción), Dummy (proceso de prueba) e Investigación (experimental) para satisfacer diversas necesidades industriales y académicas.
Las obleas Prime Grade cuentan con una densidad de defectos ultrabaja y una alta resistividad, lo que las hace ideales para dispositivos de RF, amplificadores de potencia y aplicaciones de computación cuántica.El Dummy Grade proporciona soluciones rentables para la optimización de procesos en la fabricación de semiconductores, mientras que el grado de investigación apoya estudios de materiales de vanguardia y desarrollo de prototipos.
Con una conductividad térmica superior (> 490 W/m·K) y un amplio intervalo de banda (3,2 eV), las obleas HPSI SiC permiten la electrónica de próxima generación para la comunicación 5GEn la actualidad, la industria de los vehículos eléctricos es una de las principales industrias del sector.
Cuadro de especificaciones
| Propiedad | Especificación |
| El tipo | 4H-Semi |
| Resistencia | ≥ 1 E8 ohm·cm |
| El grosor | 500 ± 25 μm |
| En el eje | Se trata de: |
| Fuera del eje | 0 ± 0,25° |
| TTV | ≤ 5 μm |
| - ¿Qué quieres decir? | - 25 μm ~ 25 μm |
| Envase | ≤ 35 μm |
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. | La luz de la luz de la luz de la luz de la luz de la luz |
Las aplicaciones deOferta de HPSI
1. Dispositivos de RF y microondas
- Estaciones base 5G: amplificadores de alta potencia con baja pérdida de señal.
- Sistemas de radar: desempeño estable en aeroespacial y defensa.
2. Energía electrónica
- Inversores eléctricos: conmutación de alto voltaje eficiente.
- Cargadores rápidos: diseños compactos y de alta eficiencia.
3Investigación de alta tecnología
- Estudios de banda ancha: Investigación sobre las propiedades del material SiC.
4Desarrollo de procesos industriales
Calibración de equipos en fábricas de semiconductores.
Preguntas frecuentes (FAQ)
1¿Cómo se define el SiC "semi-aislante"?
El SiC semi-aislante tiene una resistencia extremadamente alta, minimizando la fuga de corriente en RF y dispositivos de alta potencia.
2¿Se pueden personalizar estas obleas?
Sí, ofrecemos dopaje, espesor y acabado de superficie personalizado para grados Prime y Research.
3¿Cuál es la diferencia entre las calificaciones Prime y Dummy?
- Prime: Fabricación de dispositivos (bajos defectos).
Pruebas de procesos (optimizadas en función de los costes).
4¿Cómo se empacan las obleas?
Envases sellados al vacío de una sola oblea
5¿Cuál es el tiempo de entrega típico?
- 2-4 semanas para tamaños estándar.
- 4-6 semanas para especificaciones personalizadas.