Wafer de carburo de silicio SiC de 8 pulgadas 4H-N Tipo P / D / R Grado Mohs.9 Personalización de múltiples aplicaciones
Introducción del producto
SiC, comúnmente conocido como carburo de silicio, es un compuesto formado por la combinación de silicio y carbono.CerámicaEl carburo de silicio es el segundo después del diamante en dureza, lo que lo convierte en una excelente herramienta de abrasivo y corte.Buena conductividad térmica lo hace adecuado para aplicaciones de alta temperatura como LED y electrónica de potencia. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis.Debido a sus propiedades superioresLos cristales de semilla de carburo de silicio se han convertido en un material indispensable en la industria y la tecnología modernas.
Técnicas de crecimiento
Actualmente, la producción industrial de sustrato de carburo de silicio se basa principalmente en el método PVT.Este método requiere sublimar el polvo con alta temperatura y vacío, y luego dejar que los componentes crezcan en la superficie de la semilla mediante el control del campo térmico,para obtener los cristales de carburo de silicio.
¿Por qué es tan difícil producir una oblea de carburo de silicio de 8 pulgadas?
En comparación con los chips de silicio, la principal diferencia entre la producción de SiC de 8 pulgadas y 6 pulgadas está en los procesos de alta temperatura, como la implantación de iones a alta temperatura, la oxidación a alta temperatura,activación a alta temperatura, y el proceso de máscara dura (máscara dura) requerido por estos procesos de alta temperatura.
Además de las diferencias en el proceso de producción con las obleas de silicio, también hay algunas diferencias en el desarrollo de SiC de 6 pulgadas a 8 pulgadas.
En la implantación de iones, deposición de películas, grabado de medios, metalización y otros enlaces de la fabricación de semiconductores de potencia, la diferencia entre el carburo de silicio de 8 pulgadas y el SiC de 6 pulgadas no es grande.Las dificultades de fabricación del SiC de 8 pulgadas se concentran principalmente en el crecimiento del sustrato, el procesamiento del corte del sustrato y el proceso de oxidación.,La dificultad de crecimiento del sustrato se duplicará; en términos de corte de sustrato, cuanto mayor sea el tamaño del sustrato, más significativos serán los problemas de corte de tensión y deformación.El proceso de oxidación siempre ha sido la dificultad central en el proceso de carburo de silicio, 8 pulgadas, 6 pulgadas en el control del flujo de aire y el campo de temperatura tienen diferentes necesidades, el proceso necesita ser desarrollado de forma independiente.
Características clave del producto
-Campo eléctrico de descomposición: El campo eléctrico de descomposición del carburo de silicio es aproximadamente diez veces el del silicio,para que los dispositivos de carburo de silicio puedan funcionar a voltajes más altos sin averías debido a un campo eléctrico excesivo.
- Conductividad térmica: La conductividad térmica del carburo de silicio es tres veces mayor que la del silicio,para que los dispositivos de carburo de silicio puedan mantener un buen rendimiento de disipación de calor en ambientes de alta temperatura.
-Velocidad de migración de electrones saturados: los materiales de carburo de silicio tienen una velocidad de migración de electrones saturados más alta, lo que mejora el rendimiento de los dispositivos de carburo de silicio a altas frecuencias.
-Temperatura de trabajo: la temperatura de trabajo de los dispositivos de energía de carburo de silicio puede alcanzar más de 600 °C, lo que es 4 veces superior a la de los mismos dispositivos de silicio,y puede soportar entornos de trabajo más extremos.
Aplicaciones del producto
-Electrónica de potencia: el 4H-N SiC se utiliza para fabricar alta potencia,Dispositivos electrónicos de baja pérdida como diodos de potencia y transistores de efecto de campo (FET) para aplicaciones como la conversión de potencia y los vehículos eléctricos.
-Medios de alta temperatura: debido a su excelente estabilidad térmica y resistencia a altas temperaturas, el 4H-N SiC es adecuado para su uso en ambientes de alta temperatura,como la electrónica aeroespacial y automotriz.
- Dispositivos fotoeléctricos: pueden utilizarse para fabricar dispositivos que emiten luz azul y ultravioleta, adecuados para aplicaciones tales como láseres y fotodetectores.
Dispositivos de RF: en las comunicaciones inalámbricas y los sistemas de radar, las características de alta frecuencia de 4H-N SiC lo convierten en una opción ideal para los dispositivos de RF.
-Materiales de gestión térmica: su excelente conductividad térmica los hace útiles en radiadores y sistemas de gestión térmica.
- Sensores: pueden utilizarse para fabricar sensores de alta sensibilidad para la detección de gases y la vigilancia del medio ambiente.
Otros productos que podemos ofrecer
Sobre nosotros
Nuestra empresa, ZMSH, se especializa en la investigación, producción, procesamiento y ventas de sustratos de semiconductores y materiales ópticos de cristal.
Tenemos un equipo de ingeniería experimentado, y la experiencia de gestión en equipos de procesamiento, e instrumentos de prueba, que nos proporcionan capacidades extremadamente fuertes en el procesamiento de productos no estándar.
Podemos investigar, desarrollar y diseñar varios productos nuevos de acuerdo con las necesidades del cliente.
La empresa se adherirá al principio de "centrada en el cliente, basada en la calidad" y se esforzará por convertirse en una empresa de alta tecnología de primer nivel en materiales optoelectrónicos.
Preguntas frecuentes
1P: ¿Cuál es el grosor de una oblea de SiC de 8 pulgadas?
R: El grosor estándar es de 350/500um, pero también apoyamos la personalización basada en los requisitos.
2P: ¿Apoya la personalización?
R: Sí, apoyamos la personalización según sus requisitos.
