Tipo Sic 3C-N Tamaño Tipo conductor de mecanizado para sistemas de radar Nulo grado de producción MPD
3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material semiconductor de banda ancha con buenas propiedades eléctricas y térmicas, especialmente adecuado para alta frecuencia,aplicaciones de alta potencia y dispositivos electrónicosEl dopaje de tipo N se logra generalmente mediante la introducción de elementos como nitrógeno (N) y fósforo (P), lo que hace que el material sea electronegativo y adecuado para una variedad de diseños de dispositivos electrónicos.La distancia entre bandas es de aproximadamente 3El dopaje de tipo N mantiene una alta movilidad de electrones, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.La excelente conductividad térmica ayuda a mejorar la capacidad de disipación de calor de los dispositivos eléctricosTiene una buena resistencia mecánica y es adecuado para su uso en ambientes hostiles. Tiene una buena resistencia a una amplia gama de productos químicos y es adecuado para aplicaciones industriales.se utiliza en convertidores y accionadores de potencia de alta eficiencia, adecuado para vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.
Características:
- Amplio intervalo de banda: intervalo de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicaciones de alta temperatura y alto voltaje.
- Alta movilidad de electrones: el dopaje de tipo N proporciona una buena movilidad de electrones y mejora el rendimiento general del dispositivo.
- Excelente conductividad térmica: tiene una excelente conductividad térmica y mejora eficazmente el rendimiento de disipación de calor, adecuado para aplicaciones de alta potencia.
- Buena resistencia mecánica: Tiene una alta dureza y resistencia a la compresión, y es adecuado para su uso en ambientes hostiles.
- Resistencia química: buena resistencia a una amplia gama de productos químicos, mejorando la estabilidad del material.
- Características eléctricas ajustables: mediante el ajuste de la concentración de dopaje, se pueden lograr diferentes propiedades eléctricas para satisfacer las necesidades de una variedad de aplicaciones.
Parámetro técnico
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Propiedad
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No...Tipo de producto3C-Seco, Cristal único |
| Parámetros de la red |
a=4,349 Å |
| Secuencia de apilamiento |
El ABC |
| Dureza de Mohs |
≈9.2 |
| Densidad |
2.36 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica |
3.8×10-6/K |
| Indice de refracción @750nm |
n=2.615
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| Constante dieléctrico |
C ~ 9.66 |
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Conductividad térmica
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3 a 5 W/cm·K@298K
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| La banda-brecha |
2.36 eV |
| Campo eléctrico de ruptura |
2-5×106V/cm |
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Velocidad de deriva de saturación
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2.7×107m/s |
※ Carburo de silicio el material las propiedades es sólo para referencia.
Aplicaciones:
1Electrónica de potencia: para convertidores de potencia, inversores y accionadores de alta eficiencia, ampliamente utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.
2Equipos de RF y microondas: amplificadores de RF, equipos de microondas, especialmente adecuados para sistemas de comunicación y radar.
3Optoelectrónica: puede usarse como un bloque de construcción para LED y detectores de luz, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.
4Sensores: se aplican a una amplia gama de sensores en entornos de alta temperatura y alta potencia, proporcionando un rendimiento confiable.
5Carga inalámbrica y gestión de la batería: se utiliza en sistemas de carga inalámbrica y dispositivos de gestión de la batería para mejorar la eficiencia y el rendimiento.
6Equipo eléctrico industrial: se utiliza en sistemas de automatización y control industriales para mejorar la eficiencia energética y la estabilidad del sistema.
Personalización:
Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 3C-N y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas.
Nuestros servicios:
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