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- un cristal cúbico (3C SiC), hecho de monocristal SiC
- Alta dureza, la dureza de Mohs alcanza 9.2, sólo superado por el diamante.
- excelente conductividad térmica, adecuada para ambientes de alta temperatura.
- características de banda ancha, adecuadas para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.
La oblea de carburo de silicio (SiC) tipo 3C-N de 4 pulgadas se caracteriza por su estructura de cristal cúbico, que difiere de la estructura hexagonal que se ve típicamente en las obletas 4H-SiC.
En el 3C-SiC, los átomos de silicio y carbono están dispuestos en una red cúbica, similar a la estructura del diamante, dándole propiedades únicas que se destacan en ciertas aplicaciones.
Una de las principales ventajas del 3C-SiC es su mayor movilidad de electrones y velocidad de saturación.
En comparación con el 4H-SiC, el 3C-SiC permite un movimiento de electrones más rápido y una mayor capacidad de manejo de energía, lo que lo convierte en un material prometedor para dispositivos electrónicos de potencia.
Esta propiedad, combinada con la relativa facilidad de fabricación y el menor costo, posiciona al 3C-SiC como una solución más rentable en la producción a gran escala.
Además, las obleas 3C-SiC son particularmente adecuadas para dispositivos electrónicos de alta eficiencia.
La excelente conductividad térmica y estabilidad del material le permiten funcionar bien en condiciones adversas que involucran altas temperaturas, presión y frecuencias.
Como resultado, el 3C-SiC es ideal para su uso en vehículos eléctricos, inversores solares y sistemas de gestión de energía, donde la alta eficiencia y fiabilidad son críticas.
Actualmente, los dispositivos 3C-SiC se construyen principalmente en sustratos de silicio, aunque los desafíos siguen siendo debido a las discrepancias de la red y el coeficiente de expansión térmica, que afectan el rendimiento.
Sin embargo, el desarrollo de obleas 3C-SiC a granel es una tendencia creciente, que se espera que impulse avances significativos en la industria de la electrónica de potencia,especialmente para dispositivos del rango de voltaje 600-1200 V.
| Propiedad | Tipo N 3C-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=4,349 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABC |
| Dureza de Mohs | ≈ 9.2 |
| Densidad | 2.36 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 3.8×10-6/K |
| Indice de refracción @750nm | n=2.615 |
| Constante dieléctrico | C ~ 9.66 |
| Conductividad térmica | 3 a 5 W/cm·K@298K |
| La banda-brecha | 2.36 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 2-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.7×107m/s |
*Además, aceptamos la personalización si usted tiene requisitos de especificación.
PRecomendado
1- ¿ Qué?:¿Necesita sustituirse con frecuencia el SiC 3C-N?
R: No, el SiC 3C-N no necesita ser reemplazado con frecuencia debido a su excepcional durabilidad, estabilidad térmica y resistencia al desgaste.
2P: ¿Se puede cambiar el color de 3C-N sic?
R: Teóricamente, el color del 3C-SiC puede ser alterado mediante tratamientos de superficie o recubrimientos, pero esto no es común.o propiedades electrónicas, por lo que debe hacerse con cuidado para evitar efectos negativos en el rendimiento.