Diodos emisores de luz de 250um y 300um
Descripción:
El fosfuro de galio (GaP) es un compuesto del grupo III-V. El aspecto es cristal transparente de color rojo naranja.Diodos emisores de luz verdes y naranjas de bajo a mediano brilloSu vida es más corta a altas corrientes, y su vida es también bastante sensible a la temperatura.El fosfuro de galio (GaP) es un compuesto inorgánico y un material semiconductor con una brecha de energía indirecta de 2.26eV (300K). Su material policristalino es de color naranja claro. El fosfuro de galio es inodoro y no se disuelve en agua.y para fabricar un semiconductor tipo P, el zinc debe estar dopado.
Características:
El fosfuro de galio, conocido como Gap, es un material semiconductor compuesto por síntesis de galio (Ga) y fósforo (P) de semiconductores del grupo iii-v, a temperatura ambiente.su mayor pureza es un sólido transparente de color rojo naranjaEl fosfuro de galio es un material importante para la producción de dispositivos semiconductores de luz visible, utilizados principalmente para la fabricación de rectificadores, transistores, guías de luz,Diodo láser y elementos de refrigeraciónEl fosfuro de galio y el arseniuro de galio son semiconductores con propiedades electro luminiscentes y son los llamados semiconductores de tercera generación después del germanio y el silicio.El LED de arseniuro de galio tiene una alta eficiencia cuántica, estructura del dispositivo compacta y simple, alta resistencia mecánica y larga vida útil, y se puede utilizar en "teléfono óptico".
Parámetros:
| Las partidas |
Parámetros |
| El color |
Color rojo naranja transparente |
| Diámetro |
50.6 más 0.3 |
| El grosor |
175 225 |
| Agentes de superación |
El S |
| Densidad |
4.138 g/cm3
|
| Punto de fusión |
1477 °C
|
| Método de crecimiento |
El LEC |
| Solubilidad |
Solubilidad |
| Orientación |
(111) A 0° + 0.2 |
| Indice de refracción |
4.3 |
| La velocidad warp. |
10um |
| - ¿ Por qué? |
10um |
| TTV |
10um |
| Grado |
A. No |
Aplicación:
El fosfuro de indio (InP) es un compuesto III ~ V con estructura cristalina de esfarerita, constante de red de 5,87 × 10-10 m, brecha de banda de 1,34 eV y movilidad de 3000 ~ 4500 cm2 / (V.S.) a temperatura ambiente.Los cristales InP tienen muchas ventajas, tales como alta velocidad de deriva de electrones saturados, fuerte resistencia a la radiación, buena conductividad térmica y alta eficiencia de conversión fotoeléctrica, y se utilizan ampliamente en la comunicación óptica,dispositivos de onda milimétrica de alta frecuenciaEn el futuro, la demanda de componentes vinculará las aplicaciones de las comunicaciones 5G.electrónica y comunicaciones ópticas para automóviles con características de alta velocidadSe espera que los semiconductores compuestos de segunda y tercera generación rompan la ley de Moore de los semiconductores de silicio.
Otros productos:
Ofras de GaAs:
Las preguntas frecuentes
P: ¿Cuál es el nombre de marca deS Dopped GaP?
A: El nombre de marca deS Dopped GaPes ZMSH.
P: ¿Qué es la certificación deS Dopped GaP?
A: La certificación deS Dopped GaPes ROHS.
P: ¿Cuál es el lugar de origen deS Dopped GaP?
A: El lugar de origen deS Dopped GaPes China.
P: ¿Cuál es el MOQ deS Dopped GaP a la vez?
R: El MOQ deS Dopped GaPes 25 piezas a la vez.
