tipo de Crystal Gallium Arsenide Substrates Semi-Conducting N de los substratos de 2inch GaAs solo
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Oblea del GaAs
El arseniuro de galio (GaAs) es un material semiconductor excelente. Tiene hueco de banda directo grande, alta movilidad de electrón, eficacia de conversión de poco ruido y alta de alta frecuencia) y otras ventajas excepcionales.
El substrato del GaAs se divide en conductor y semiaislante, ampliamente utilizado en el laser (LD), el diodo electroluminoso del semiconductor (LED), cerca del laser infrarrojo, del quántum del laser de alta potencia bien y de los paneles solares de la eficacia alta; Microprocesadores del HEMT y de HBT para el radar, la microonda, la onda de milímetro o las comunicaciones ultraaltas del ordenador de la velocidad y ópticas; Dispositivos de la radiofrecuencia para la comunicación inalámbrica, 4G, 5G, comunicación por satélite, red inalámbrica (WLAN).
Recientemente, el substrato del arseniuro de galio también ha hecho gran progreso en el mini-LED, el Micro-LED y el LED ligero rojo, que es ampliamente utilizado en dispositivos usables de AR/VR.
Oblea Market&Application del GaAs
El arseniuro de galio es un materialIt importante del semiconductor pertenece al gro encima de los semiconductores compuestos del lll-V y de la estructura de enrejado cristalino del zincblende, con un punto de fusión of1237° C del enrejado constantof5.65x10-10ma, y a un hueco de banda de 1,4 electronvoltios. El arseniuro de galio se puede hacer en materialswhich de alta resistencia semiaislante se puede utilizar para hacer el fotón substratesinfrared circuito integrado del detectorsgamma
detectores, etc. Porque su movilidad de electrón es 5to6times mayor que estafa del sili, el substrato del SI GaAs se ha utilizado importantemente en la fabricación de los dispositivos de la microonda y de los circuitos digitales de alta velocidad. Los dispositivos de semiconductor fabricados en el arseniuro de galio tienen las ventajas de la temperatura alta de alta frecuencia, resistencia fuerte del iation del rac del noiseand a baja temperatura del performancelow, que hacen que el mercado del substrato del GaAs agranda.
Especificación
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GaAs (arseniuro de galio), semiaislante para los usos de la microelectrónica
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Artículo
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Especificaciones
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Observaciones
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Tipo de la conducción
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Aislamiento
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Método del crecimiento
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VGF
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Dopante
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Sin impurificar
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Oblea Diamter
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2, 3, 4 y 6 pulgadas
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Lingote disponible
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Crystal Orientation
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(100) +/- 0.5°
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DE
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EJ, los E.E.U.U. o muesca
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Concentración de portador
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n/a
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Resistencia en el RT
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>1E7 Ohm.cm
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Movilidad
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>5000 cm2s/V.sec
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Grabado de pistas Pit Density
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<8000> |
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Marca del laser
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a petición
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Final superficial
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P/P
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Grueso
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350~675um
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Epitaxia lista
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Sí
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Paquete
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Solo envase o casete de la oblea
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embalaje
SOBRE NUESTRO ZMKJ
ZMKJ localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y se funda nuestra fábrica
en la ciudad de Wuxi en 2014. Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, substratos
y custiomized parts.components de cristal óptico ampliamente utilizado en la electrónica, la óptica,
optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales
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Empaquetado – Logistcs
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