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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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Ciudad:shanghai

Provincia / Estado:shanghai

País/Región:china

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China 2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado wholesale

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

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Número de modelo :GaN-plantillas

Lugar del origen :China

Cantidad de orden mínima :5pc

Condiciones de pago :L / C, T / T

Plazo de expedición :2-4 semanas

Detalles de empaquetado :sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados

Material :Epi de GaN en el portador del zafiro

Método :HVPE

Tamaño :2inch

Grueso :430um

Industria :LD, llevado, dispositivo del laser, detector,

Superficie :solo lado pulido

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plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea de GaN del nitruro del galio del mocvd GaN,

Especificaciones de GaN/características especiales:

El nitruro del galio (GaN) es un material hecho muy duro que tiene una wurzita la estructura cristalina y es probablemente el material más importante del semiconductor como el material de la tercera generación semi.
Puede ser utilizado para emitir la luz brillante bajo la forma de diodos electroluminosos (LED) y diodos láser, así como para ser el material dominante para el de alta frecuencia de la siguiente generación, transistores de poder más elevado capaces del funcionamiento en las temperaturas altas.
GaN basó la oblea epitaxial (zafiro, sic) que las obleas epitaxiales son crecidas por método del MBE o del MOCVD, una capa o las estructuras de múltiples capas en los substratos del zafiro, diámetro hasta 4 pulgadas.

Cubierta prohibida del ancho de banda del III-nitruro (GaN, AlN, mesón) (luminescente y absorción) el ultravioleta,

la luz visible e infrared.GaN se pueden utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía

y proyección de imagen, exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

Especificaciones:

2" plantillas de GaN

Artículo	GaN-T-N	GaN-T-S
Dimensiones	Ф 2"
Grueso	15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40	30 μm, μm 90
Orientación	± 1° de C-AXIS (0001)
Tipo de la conducción	N-tipo	Semiaislante
Resistencia (300K)	< 0="">Ω·cm	>106 Ω·cm
Densidad de dislocación	Menos que los cm2s 1x108
Estructura del substrato	GaN grueso en el zafiro 430um o 330um (0001)
Superficie usable	> el 90%
Polaco	Estándar: Opción del SSP: DSP
Paquete	Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF por el MANDO.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T por adelantado, Paypal, unión del oeste, MoneyGram,

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