3inch sic oblea, substratos del carburo de silicio de la pureza elevada 4H, substratos de la pureza elevada 4inch sic, substratos para el semiconductor, 4inch sic substratos, substratos para el semconductor, obleas cristalinas sic solas, sic lingotes del carburo de silicio 4inch del carburo de silicio para la gema
Áreas de aplicación
1 diodo de Schottky de los dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED
advantagement
• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda
Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Propiedad |
4H-SiC, solo cristal |
6H-SiC, solo cristal |
| Parámetros del enrejado |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia |
ABCB |
ABCACB |
| Dureza de Mohs |
≈9.2 |
≈9.2 |
| Densidad |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
| Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61
ne = 2,66
|
ningunos = 2,60
ne = 2,65
|
| Constante dieléctrica |
c~9.66 |
c~9.66 |
| Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K
|
|
| Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K
|
a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
|
| Banda-Gap |
eV 3,23 |
eV 3,02 |
| Campo eléctrico de la avería |
los 3-5×106V/cm |
los 3-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de la saturación |
2.0×105m/s |
2.0×105m/s |
2. tamaño de los substratos del estándar
| 3 especificaciones del substrato del carburo de silicio de la pulgada de diámetro 4H |
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO |
Ultra grado |
Grado de la producción |
Grado de la investigación |
Grado simulado |
| Diámetro |
76,2 milímetros ±0.38 milímetro |
| Orientación superficial |
en-AXIS: {± 0.2° de 0001}; de fuera del eje: 4°toward <11-20> ± 0.5° |
| Orientación plana primaria |
<11-20> ̊ del ± 5,0 |
| Orientación plana secundaria |
90,0 ̊ CW del ̊ primario del ± 5,0, silicio cara arriba |
| Longitud plana primaria |
22,0 milímetros de ± 2,0 milímetros |
| Longitud plana secundaria |
11,0 milímetros de ± 1.5m m |
| Borde de la oblea |
Chaflán |
| Densidad de Micropipe |
cm2s de ≤1 micropipes/ |
cm2s de ≤5 micropipes/ |
cm2s de ≤10 micropipes/ |
cm2s de ≤50 micropipes/ |
| Áreas de Polytype por la luz de alta intensidad |
Ningunos permitieron |
área del ≤10% |
| Resistencia |
0,015 Ω·cm~0.028 Ω·cm |
(área el 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm |
| Grueso |
350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm |
| TTV |
μm ≤10 |
μm ≤15 |
| Arco (valor absoluto) |
μm ≤15 |
μm ≤25 |
| Deformación |
μm ≤35 |
3.sample
FAQ:
Q: ¿Cuál es la manera de término del envío y del coste y de la paga?
A: (1) nosotros el accept100% T/T por adelantado por DHL, Fedex, el ccsme etc.
(2) si usted tiene su propia cuenta expresa, es grande. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
La carga está de acuerdo con el acuerdo real.
Q: ¿Cuál es su MOQ?
A: (1) para el inventario, el MOQ es 2pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 25pcs para arriba.
Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?
A: Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la forma para requisitos particulares, tamaño basado en sus necesidades.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
A: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.
(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.
