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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

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NDT456P Transistor de efecto de campo con diodo rectificador de modo de mejora de canal P

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Number modelo :NDT456P

Lugar del origen :Filipinas

Cantidad de orden mínima :20

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal

Capacidad de la fuente :20000

Plazo de expedición :1

Detalles de empaquetado :Éntreme en contacto con por favor para los detalles

Descripción :Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em

Voltaje de la Dren-fuente :30 voltios

Voltaje de la Puerta-fuente :±20 V

Drene actual :±7.5 A

Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento :-65 a 150 °C

Resistencia termal, Empalme-a-Ambien :42 °C/W

Resistencia termal, empalme-a-caso :12 °C/W

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NDT456P Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal P

Características

* -7,5 A, -30 V. RDS ((ON) = 0,030 W @ VGS = -10 V RDS ((ON) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V

* Diseño de celdas de alta densidad para RDS extremadamente bajos ((ON)

* Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje de superficie ampliamente utilizado.

Descripción general

Los transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora del canal P de Power SOT se producen utilizando la tecnología DMOS patentada de Fairchild, de alta densidad de células.Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado y proporcionar un rendimiento de conmutación superiorEstos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje como la gestión de energía de computadoras portátiles, circuitos alimentados por baterías y control de motores de CC.

El símbolo	Parámetro	No obstante lo dispuesto en el apartado 1,	Unidades
V._{El DSS}	Voltado de la fuente de drenaje	- 30 años.	V.
V._{El GSS}	Voltado de la fuente de la puerta	± 20	V.
TJ, TSTG	Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Entre 65 y 150	°C
RqJA	Resistencia térmica, unión con el ambiente (nota 1a)	42	°C/W
RqJC	Resistencia térmica, unión al estuche (nota 1)	12	°C/W

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