Las condiciones de los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los vehículosN - Mosfet de potencia del canal200 V 50 AA través del óxido metálico de agujeroTO247-3

Características

Tipo de producto:MOSFETS-Sólo

Embalaje:El tubo

Estado de la parte:Activo

Tipo de FET:N - Canal

Tecnología:MOSFET (óxido metálico)

Voltado de la fuente de drenaje (VDSS):Las demás:

Corriente - Desagüe continuo (ID) (a 25°C):Las condiciones de las condiciones de ensayo se determinarán en el punto 3.

Válvulas de encendido de la unidad de encendido:10 V

VGS (th) con diferentes identificadores (máximo): 4V @ 250μA

Carga de la puerta (Qg) en diferentes VG (máximo): Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje

Capacidad de entrada (CISS) en diferentes VDS (máximo): 4057pF @ 25V

VGS (máximo):± 20 V

Disposición de energía (máxima):El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido de carbono.

El RDS está encendido (máximo):40 mOhm @ 28A, 10V

Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Tipo de instalación:A través del agujero

Paquete de dispositivos del proveedor:Se trata de un sistema de control de la calidad.

Embalaje/revestimiento:TO-247-3

Etiquetas de productos:

Mosfet IRFP260MPBF del poder del canal N del óxido de metal de 200V 50A TO247

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Microprocesadores del circuito integrado

Unidad del microcontrolador de MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de poder de IGBT

Chips CI del amplificador

chips CI electrónicos

Componentes electrónicos

Mosfet IRFP260MPBF del poder del canal N del óxido de metal de 200V 50A TO247

irf520 mosfet

irfz44n mosfet

p55nfo power mosfet