Se trata de un artículo de la legislación de la Unión Europea.Tecnología de proceso avanzada de interruptor PDPINFINEON Alemania
Características
Tecnología avanzada de procesos
Parámetros clave optimizados para el PDP Sustain,
Recuperación de energía y aplicaciones de interruptores de paso
Baja potencia de EPULSE para reducir la potencia
Dissipación en las aplicaciones PDP Sustain, Recuperación de energía y Pass Switch
Baja QG para una respuesta rápida
Capacidad de corriente máxima de alta repetición para un funcionamiento fiable
Tiempos cortos de caída y subida para cambiar rápidamente
175°C Temperatura de la unión de funcionamiento para mejorar la robustez
Capacidad de avalancha repetitiva para la robustez y fiabilidad
Amplificador de audio de clase D de 300W a 500W (medio puente)
Descripción
Este HEXFET8Power MOSFET está diseñado específicamente para Sustain;
Aplicaciones de interruptores de recuperación y transmisión de energía en paneles de visualización de plasma.
Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia por área de silicio
Las características adicionales de este MOSFET son 175°C
temperatura de unión de funcionamiento y alta capacidad de corriente de pico repetitiva.
Estas características se combinan para hacer de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones de conducción PDP.