Categorías de Producto

Chip CI de memoria Flash

[30]

Chip CI programable

[56]

Chips CI del ordenador

[26]

Conductor ICs del LED

[36]

Gestión ICs del poder

[28]

Microprocesadores del circuito integrado

[28]

Unidad del microcontrolador de MCU

[157]

Conductor ICs de la exhibición

[10]

Módulo de poder de IGBT

[10]

Chips CI del amplificador

[10]

chips CI electrónicos

[2981]

Componentes electrónicos

[279]

Contacta

Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MsDoris Guo

Ver detalles de contacto

Contacta

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Preguntar último precio

Number modelo :2SB1261

Lugar del origen :China

Cantidad de orden mínima :10 PC

Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO

Capacidad de la fuente :10000pcs

Plazo de expedición :Común

Detalles de empaquetado :Bolso

Descripción :Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 3 un soporte superficial D-Pak de 50MHz 1 W

Voltaje de la Colector-base :-60V

voltaje del Colector-emisor :-60V

voltaje de la Emisor-base :-7V

Colector Actual-continuo :-3A

Disipación de poder del colector @TC=25℃ :10w

TEMPERATURA DE EMPALME :150℃

temperatura de almacenamiento :-55~150℃

Paquete :TO126

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

2SB1261 Transistores epitaxiales de silicio con diodo rectificador de propósito general PNP

Descripción

·Baja tensión de saturación del colector

·Alta disipación de potencia: PC=10W(Max)@TC=25°C

·Complemento del tipo 2SD1899-K

Las aplicaciones

·Diseñado para su uso en amplificadores de audio y conmutadores, especialmente en circuitos integrados híbridos.