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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

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Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor superficial del soporte de 18mA 9GHz 150mW

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China Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor superficial del soporte de 18mA 9GHz 150mW wholesale
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Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor superficial del soporte de 18mA 9GHz 150mW
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Number modelo :BFS505
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000 PC
Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente :60000PCS
Plazo de expedición :Común
Detalles de empaquetado :3000PCS/Reel
Descripción :Soporte superficial SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW del RF
Categorías :Transistores - bipolares (BJT) - RF
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :15V
Frecuencia - transición :9GHz
Figura de ruido (tipo del DB @ f) :1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Poder - máximo :150mW
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce :60 @ 5mA, 6V
Actual - colector (Ic) (máximo) :18mA
Temperatura de funcionamiento :175°C (TJ)
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BFS505 Transistores NPN PNP Transistores RF NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Montado en la superficie

Transistores de banda ancha NPN de 9 GHz

Características
• Bajo consumo de corriente
• Gran ganancia de potencia
• Bajo nivel de ruido
• Alta frecuencia de transición
• La metalización del oro garantiza
excelente fiabilidad
• SOT323 sobre.
Descripción
Transistor NPN en un SOT323 de plástico
En el sobre.
Está destinado a amplificadores de baja potencia,
Osciladores y mezcladores, especialmente en
Comunicación portátil de RF
Equipamiento (teléfonos celulares, teléfonos inalámbricos
Los teléfonos, buscadores) hasta 2 GHz.

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías Productos discretos de semiconductores
　 Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Fabricante USA Inc.
Serie -
Embalaje Cintas y bobinas (TR)
Estado de las partes No está disponible
Tipo de transistor NPN (número de origen)
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) 15 V
Frecuencia - Transición 9GHz
Figura de ruido (dB Tipo @ f) 1Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la frecuencia de los gases de efecto invernadero.
Ganancias -
Potencia - máximo 150 mW
La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 6V
Corriente - colector (Ic) (máximo) 18 mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Envase / estuche SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de la SOT-323-3.

Etiquetas de productos:

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