Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Miembro activo
3 Años
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Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP

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Grupo de ChongMing (HK) Co. internacional, Ltd
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:MsDoris Guo
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Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP

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Number modelo :BSH201
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000 PC
Condiciones de pago :T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Capacidad de la fuente :30000PCS
Plazo de expedición :Común
Detalles de empaquetado :3000PCS/Reel
Descripción :Soporte TO-236AB de la superficie 417mW (TA) del P-canal 60 V 300mA (TA)
Categorías :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :300mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :2,5 ohmios @ 160mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :1V @ 1mA (minuto)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :3nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :70pF @ 48V
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BSH201 NPN PNP Transistores de canal P 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) Montado en la superficie

Transistores BSH201 MOS con modo de mejora del canal P

Los datos de referencia rápidos de los símbolos se pueden utilizar para la configuración de los sistemas de control de velocidad.
DESCRIPCIÓN GENERAL El número de identificación SOT23
Canal P, modo de mejora, PIN DESCRIPCIÓN nivel lógico, transistor de potencia de efecto de campo.Este dispositivo tiene un bajo voltaje de umbral de 1 puerta y conmutación extremadamente rápida lo que lo hace ideal para aplicaciones de 2 fuentes alimentadas por batería e interfaz digital de alta velocidad. 3 desagüe
El BSH201 se suministra en el paquete de montaje de superficie subminiatura SOT23.

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías Productos discretos de semiconductores
  Transistores - FET, MOSFET - Uno
Fabricante Nexperia EE.UU. Inc.
Serie -
Embalaje Cintas y bobinas (TR)
Estado de las partes Actividad
Tipo de FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) Las demás:
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el siguiente:
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) 4.5V y 10V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 160 mA, 10 V
Vgs(th) (máximo) @ Id 1V @ 1mA (min)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3nC @ 10V
Vgs (máximo) ± 20 V
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 70pF @ 48V
Característica del FET -
Disposición de energía (máximo) 417 mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montura de la superficie
Paquete de dispositivos del proveedor Se trata de la siguiente:

Carro de la investigación 0